本规范规定了CCK405型有可靠性指标的瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求.本规范适用于低损耗、电容量稳定并有确定温度系数的谐振回路和需要补偿温度效应的电路中使用的瓷介电容器。本规范规定的电容器的完整要求由本规范和总规范GJB468组成。 SJ 20197-1992 ＣＣＫ４０５型有可靠性指

本规范规定了CS3821、CS3822和CS3823型硅沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。每种器件境按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20184-1992 半导体分立器件 ＣＳ３８２１、３８２２、３８２３型场效应晶体管详

本规范规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级). SJ 20183-1992 半导体分立器件 ３ＤＤ６型功率晶体管详细规范 SJ20183-1992

本规范规定了3CT682、683、685~692和3CT5206型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级)。 SJ 20182-1992 半导体分立器件 ３ＣＴ６８２、６８３、６８５～６９２和３Ｃ

本规范规定了3CT105型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按ＧＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级). SJ 20180-1992 半导体分立器件 ３ＣＴ１０５型反向阻断闸流晶体管详细规范 SJ20180-1992

本规范规定了3CT103型反向阻断闸流晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP，GT和GCT级)。 SJ 20179-1992 半导体分立器件 ３ＣＴ１０３型反向阻断闸流晶体管详细规范 SJ20179-1992

本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20176-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压

本规范规定了3DG9l8型NPN硅超高频小功率晶体管(以某侧箍器件)的详细婆$b该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等(GP、GT和GCT级). SJ 20175-1992 半导体分立器件 ３ＤＧ９１８型ＮＰＮ硅超高频小功率晶体管详细规范 SJ20175-1992

本规范规定了CCK40l型有可靠性指标的瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求.本规范适用于低损耗、电容量稳定并有确定温度系数的谐振回路和需要补偿温度效应的电路中使用的瓷介电容器。本规范规定的电容器的完整要求由本规范和总规范GJB468组成。 SJ 20193-1992 ＣＣＫ４０１型有可靠性指

本规范规定了CCK104型有可靠性指标的瓷介固定电容器的结构、尺寸、主要参数和要求.本规范适用于低损耗、电容量稳定并有确定温度系数的谐振回路和需要补偿温度效应的电路中使用的瓷介电容器。本规范规定的电容器的完整要求由本规范和总规范GJB468组成。 SJ 20192-1992 ＣＣＫ１０４型有可靠性指