【电子行业标准(SJ)】 2DW230～236型硅平面温度补偿稳压二极管

中华人民共和国第四机械工业部部标
2DW230～236型硅平面温度
补偿稳压二极管
SJ911-74
1.本标准适用于0.2W的《2DW230~236型》硅平面温度补偿稳压二极管。该产品用于精密稳压源电路中。2.本标准是SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》的补充。3.产品外形尺寸应符合部标准SJ139—70中的B—4型。4，环境试验项目及顺序见表1
(8）)
测量“LX”类电参数
振动强度试验
机械冲击试验
变频振动试验
热神冲击试验
交变潮热试验
解间短断路试验
低温性能试验
接端强度试验
引出线离曲试验
易焊性试验
5.技术要求与试验方法：
《半导体二极管（二
总技术条件》条、款
第11条
第6条（1）款
第6条（2）款
第6条（3）款
第7条
第8条
第12条
第14条
第4条（1)、（2）款
第4条（3）款
第5条
本标准条、款
第5条（1）、（6）款
第5条（3）款
第5条（3）款
第5条（3）款
第5条（3）款
第5条（3）款
第5条（6）款
（1）产品的电参数应符合表2的规定。其测试方法应符合部标准SJ181~189—65。
（2）电压温度系数的测试：先测得T，=25士1℃C在恒定的测试电流1z的热稳定后的稳定电压Vz，（有效数测到5位），再测T，=75士1℃C时同一测试电流下热稳定后的稳定电压Vz2（有效数测到5位），按下公式计算：中华人民共和国第四机械工业部3发布
1975年10月1日
SJ91174
共3第2页
（3）振动强度试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（1）款），机械冲击试验(SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（2）款），变频摄动试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第6条（3）款），热冲击试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第7条），交变潮热试验（SJ908一74《半导休二极管（二类）总技术条件》第8条）后，均考核“JS”类电参数，以不超出表2的规定为合格（4）敲变试验（SJ908—一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第15条）：所加电讯号为z=10mA。
（5）低气压试验（SJ908—74《半导体二极管（二类）总技术条件》第9条），在7.5～33mmHg的压力箱内（温度为室温），加Izm工作1小时，不应有异常现象。试验后在室温下测量稳定电压的相对变化，其变化率不大于士1%为合格。
（6）低温性能试验（SJ908--74《半导体二极管（二类）总技术条件》第14条）：将产品置于-55士3℃的环境中存放1小时，在低温下通电<1分钟，测量Iz=10mA下动态电阻，以不超出表2为合格。（7）短期寿命试验（SJ908—74《半导体二极管（二类）总技术条件》第16条）：在室温下加稳定电压和Izm连续工作240小时，试验后考核稳定电压相对变化率，允许有1只产品超过士1%，但不大于土2%为合格。（8）高温忙存试验（SJ908一74《半导体二极管（二类）总技术条件》第17条：在150土3°C环境下，连续忙存。试验后，考核标准与本标准第5条（7）款同。
（9）2DW230~236型硅平面温度补偿稳压二极管电参数规范见表2。2
SJ911-74
共3页第8页
(0/s-0T)
s*9~0°9
9°9~0\9
9'9~0°9
$*9~0\9
9°9~0°9
9*9~8*9
9°9~8*
附录1
电参数的符号及定义
（1）Uz稳定电压一一在稳压二极管的稳压范围内，通过的反向电流为现定值时，在极间产生的电压降。（2）I2反向测试电流———测试反向电参数时，给定的反向电流。（3）Rz动态电阻-在测试电流下，稳定二极管的电压微变量与通过稳压二极管电流微变量的比值。
（4）Cr电压温度系数-一在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化的比值。
（5）Pz最大耗散功率一一在给定的使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率。
（6）Izm最大工作电流一一在最大耗散功率下，稳压二极管允许通过的电流。
（7）B电压漂移
变化的百分数。
在给定的测试条件下，稳定电压在一定时间间励内（8）U正向压降——稳压二极管正向通过规定的电流时，极间产生的电压降。
（9）I正向测试电流一测试稳压二极管正向电参数时，给定的电流。（10）I反向漏电流—稳压二极管在规定的反向电压下，产生的满电流。（11）Ti最商结温——稳压二极管在工作状态下，P—N结的最高温度。4
2CW108
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1975年12月第一版
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2CW106
2CW107
2CW135
2CW136
2CW137
2CwJ138
2CW140
2CW141
2DW230
2DW231
2DW232~236
1975年12月第一次印刷
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2CW21B
2CW21C
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代号：2-1816
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