- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 909-1974 2CW50~149型硅半导体稳压二极管

【电子行业标准(SJ)】 2CW50~149型硅半导体稳压二极管
本网站 发布时间:
2024-07-11 04:33:04
- SJ909-1974
- 现行
标准号:
SJ 909-1974
标准名称:
2CW50~149型硅半导体稳压二极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1975-10-01 -
实施日期:
1974-10-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
442.62 KB

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本标准适用于0.25W~3W的《2CW50~149型》硅半导体稳压二极管。该产品用于电气设备的稳压电路中,亦可用于其他无线电路中。产品除应符合SJ908-74《半导体二极管(二类)总技术条件》外,尚应符合本标准的规定。产品外形尺寸应符合部标准SJ205-70的规定 SJ 909-1974 2CW50~149型硅半导体稳压二极管 SJ909-1974

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部标准
硅半导体稳压二极管
SJ909-74
中华人民共和国第四机械工业部部标
2CW50~149型硅半导体
稳压二极管
SJ909-74
1.本标准适用于0.25W~3W的《2CW50~149型》硅半导体稳压二极管。该产品用于电气设备的稳压电路中,亦可用于其他无线电线路中。2.产品除应符合SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》外,尚应符合本标准的规定。
3,产品外形尺寸应符合部标准SJ206—70的规定。注:表2中散热器尺寸仅作参考。4.环境试验项目及顺序见表1。
测量LX类电参数
振动强度试验
机械冲击试验
变频振动试验
热冲击试验
交变潮热试验
瞬间短断路试验
高温性能试验
低温性能试验
接端强度试验
引出线弯曲试验
易焊性欧验
《半导体二极管(二类)
总技术条件》条、款
第II条
第6条(1)款
第6条(2)款
第6条(3)款
第7条
第8条
第12条
第13条
第14条
第4条(1)、(2)款
第4条(3)款
第5条
本标准条款
第5条(1)、(2)、(3)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
大功率管不做
第5条(7)款
第5条(8)款
试验后考核标准按SJ908一74《半导休二极管(二类)总技术条件》第24、25条。
5.技术要求与试验方法:
(1)产品的电参数应符合表2的规定。其测试方法应符合部标准SJ181~中华人民共和国第四机械工业部发布1975年10月1日实施
共9页第2页
188-65。
SJ909—74
(°)电压温度系数的测试:先测得T,=25士1°C在恒定的测试电流I2下热稳定店附稳定电压Vz(有效数测得五位),再测T,=75士1°C时同一测试电流下热稳定后的稳定电压Vz2(有效数测到五位),按下列公式计算:Vz-Vu.1
(3)电压漂移的测试:将产品在恒定的测试电流Iz2下工作30分钟后测得稳定电压Vz(有效数测到4位),继续工作10分钟后测得同一测试电流下的稳定电压(有效数测到4位),按下列公式计算:By=-VzL·100%
(4)振动强度试验(SJ90874《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(1)款),机械冲击试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(2)款),变频振动试验(SJ908-74《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(3)款),热冲击试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第7条),交变潮热试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第8条),试验后均考核“JS”类电参数,以不超过表2的规定为合格。
(5)鼓变试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第15条),所加电讯号为正向测试电流。
(6)低气压试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第9条),在7.5~33mmHg的压力箱内(温度为室温),≤3W的产品加最大工作电流,并带相应的散热器,工作1小时,不应有异常现象,试验后在室温下测量稳定电压的相对变化率,不大于士2%为合格。(7)高温性能试验(SJ908一74《半导休二极管(二类)总技术条件》第13条),将产品放在125士3C的环境中,按相应的“温度负荷曲线”加工作电流,并带相应的散热器,工作1小时后,在室温下放置2小时,在2小时内测稳定电压的相对变化率,以不大于士2%为合格。(8)低温性能试验SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第14条),将产品置于一55士3°C的环境中存放1小时,在低温下通电<1分钟,测R22,以不超过表的20%为合格。(9)短期寿命试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第2
SJ90974
共9页第3页
16条),按产品最大耗散功率不同分别加稳定电压和最大工作电流。短期寿命试验后:3W、稳定电压40V的产品,考核稳定电压的相对变化率(试验前后之比),允许有两只产品>±1.5%,但要<土4%,其分品的稳定电压相对变化率不应超过士1.5%,≤3W、稳定电压>40V的产品,试验后稳定电压的相对变化率均应小于土4%,(10)高温贮存试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第17条),在150士3℃C环境下连续贮存。试验后考核标准与本标准第5条(9)款相同。(11)硅稳压二极管的温度负荷曲线如下图:Iznc4
(12)2CW50~78、2CW100~121、2CW130~149型硅半导体稳压极管参数规范见表2。
共9页第4页
滤试条件
试验类别
最大耗
散功率
最大工
作电流
SJ909--74
最商结温
稳定电压
11.5~12.5
11.5~12.5
I,=Ial
反向漏电流
10(VR=0.5V)
5(VR=0.5V)
≤2(VR=0.5V)
VR=-1V
SJ909-74
正向压降
电压温度
(10-+/℃)
电压漂移
共9页第5页
散热器
ED-1,EA型
共9页第6页
2CW100
2CW101
2CW102
2CW103
2CW104
2CW105
2CW106
2CW107
2CW108
2CW109
2CW110www.bzxz.net
2CW111
2CW112
2CW113
2CW114
2CW115
2CW116
2CW117
2CW118
2CW119
2CW120
2CW121
测试条件
试验类别
最大工
最大耗!
作电流
SJ909-74
晨高结温
稳定电压
11.5~12.5
动态电
反向凝电流
10(VR=0.5V)
≤10(VR=0.5V)
≤5(VR-0.5V)
VR=-IV
SJ909—74
正向压降
电压温度
(10-4/℃)
电压漂移
共9页第7页
续表2
部标ED-2型
散热器
共9页第8页
2CW130
2CW131
2CW132
2CW133
2CW134
2CW135
2CW136
2CW137
2CW138
2CW139
2CW140
2CW141
2CW142
2CW143
2CW144
2CW145
2CW146
2CW147
2CW148
2CW149
测试条件
试验类别
最大耗
散功率
最大工
作电流
SJ909-74
最高结温
稳定电压
11.5~12.5
I2=121
反向温电流
5(VR=0.5V)
VR--1V
SJ909-74
正向玉降
电压温度
(10-*/℃)
电压漂移
共9页第9页
续表2
部标EE型
散热器
60×60×
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
硅半导体稳压二极管
SJ909-74
中华人民共和国第四机械工业部部标
2CW50~149型硅半导体
稳压二极管
SJ909-74
1.本标准适用于0.25W~3W的《2CW50~149型》硅半导体稳压二极管。该产品用于电气设备的稳压电路中,亦可用于其他无线电线路中。2.产品除应符合SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》外,尚应符合本标准的规定。
3,产品外形尺寸应符合部标准SJ206—70的规定。注:表2中散热器尺寸仅作参考。4.环境试验项目及顺序见表1。
测量LX类电参数
振动强度试验
机械冲击试验
变频振动试验
热冲击试验
交变潮热试验
瞬间短断路试验
高温性能试验
低温性能试验
接端强度试验
引出线弯曲试验
易焊性欧验
《半导体二极管(二类)
总技术条件》条、款
第II条
第6条(1)款
第6条(2)款
第6条(3)款
第7条
第8条
第12条
第13条
第14条
第4条(1)、(2)款
第4条(3)款
第5条
本标准条款
第5条(1)、(2)、(3)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
第5条(4)款
大功率管不做
第5条(7)款
第5条(8)款
试验后考核标准按SJ908一74《半导休二极管(二类)总技术条件》第24、25条。
5.技术要求与试验方法:
(1)产品的电参数应符合表2的规定。其测试方法应符合部标准SJ181~中华人民共和国第四机械工业部发布1975年10月1日实施
共9页第2页
188-65。
SJ909—74
(°)电压温度系数的测试:先测得T,=25士1°C在恒定的测试电流I2下热稳定店附稳定电压Vz(有效数测得五位),再测T,=75士1°C时同一测试电流下热稳定后的稳定电压Vz2(有效数测到五位),按下列公式计算:Vz-Vu.1
(3)电压漂移的测试:将产品在恒定的测试电流Iz2下工作30分钟后测得稳定电压Vz(有效数测到4位),继续工作10分钟后测得同一测试电流下的稳定电压(有效数测到4位),按下列公式计算:By=-VzL·100%
(4)振动强度试验(SJ90874《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(1)款),机械冲击试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(2)款),变频振动试验(SJ908-74《半导体二极管(二类)总技术条件》第6条(3)款),热冲击试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第7条),交变潮热试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第8条),试验后均考核“JS”类电参数,以不超过表2的规定为合格。
(5)鼓变试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第15条),所加电讯号为正向测试电流。
(6)低气压试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第9条),在7.5~33mmHg的压力箱内(温度为室温),≤3W的产品加最大工作电流,并带相应的散热器,工作1小时,不应有异常现象,试验后在室温下测量稳定电压的相对变化率,不大于士2%为合格。(7)高温性能试验(SJ908一74《半导休二极管(二类)总技术条件》第13条),将产品放在125士3C的环境中,按相应的“温度负荷曲线”加工作电流,并带相应的散热器,工作1小时后,在室温下放置2小时,在2小时内测稳定电压的相对变化率,以不大于士2%为合格。(8)低温性能试验SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第14条),将产品置于一55士3°C的环境中存放1小时,在低温下通电<1分钟,测R22,以不超过表的20%为合格。(9)短期寿命试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第2
SJ90974
共9页第3页
16条),按产品最大耗散功率不同分别加稳定电压和最大工作电流。短期寿命试验后:3W、稳定电压40V的产品,考核稳定电压的相对变化率(试验前后之比),允许有两只产品>±1.5%,但要<土4%,其分品的稳定电压相对变化率不应超过士1.5%,≤3W、稳定电压>40V的产品,试验后稳定电压的相对变化率均应小于土4%,(10)高温贮存试验(SJ908一74《半导体二极管(二类)总技术条件》第17条),在150士3℃C环境下连续贮存。试验后考核标准与本标准第5条(9)款相同。(11)硅稳压二极管的温度负荷曲线如下图:Iznc4
(12)2CW50~78、2CW100~121、2CW130~149型硅半导体稳压极管参数规范见表2。
共9页第4页
滤试条件
试验类别
最大耗
散功率
最大工
作电流
SJ909--74
最商结温
稳定电压
11.5~12.5
11.5~12.5
I,=Ial
反向漏电流
10(VR=0.5V)
5(VR=0.5V)
≤2(VR=0.5V)
VR=-1V
SJ909-74
正向压降
电压温度
(10-+/℃)
电压漂移
共9页第5页
散热器
ED-1,EA型
共9页第6页
2CW100
2CW101
2CW102
2CW103
2CW104
2CW105
2CW106
2CW107
2CW108
2CW109
2CW110www.bzxz.net
2CW111
2CW112
2CW113
2CW114
2CW115
2CW116
2CW117
2CW118
2CW119
2CW120
2CW121
测试条件
试验类别
最大工
最大耗!
作电流
SJ909-74
晨高结温
稳定电压
11.5~12.5
动态电
反向凝电流
10(VR=0.5V)
≤10(VR=0.5V)
≤5(VR-0.5V)
VR=-IV
SJ909—74
正向压降
电压温度
(10-4/℃)
电压漂移
共9页第7页
续表2
部标ED-2型
散热器
共9页第8页
2CW130
2CW131
2CW132
2CW133
2CW134
2CW135
2CW136
2CW137
2CW138
2CW139
2CW140
2CW141
2CW142
2CW143
2CW144
2CW145
2CW146
2CW147
2CW148
2CW149
测试条件
试验类别
最大耗
散功率
最大工
作电流
SJ909-74
最高结温
稳定电压
11.5~12.5
I2=121
反向温电流
5(VR=0.5V)
VR--1V
SJ909-74
正向玉降
电压温度
(10-*/℃)
电压漂移
共9页第9页
续表2
部标EE型
散热器
60×60×
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:





- 其它标准
- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)标准计划
- SJ/T11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法
- SJ/T11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
- SJ/T10148.3-1991 电气简图的编制方法 系统图(框图)
- SJ2242-1982 散热器强制风冷热阻测试方法
- SJ/T11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
- SJ/T11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
- SJ/T11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
- SJ20965-2006 光电器件用氧化铍陶瓷载体规范
- SJ/T11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉
- SJ/T11407.1-2009 数字接口内容保护系统技术规范 第1部分:系统结构
- SJ/T11410-2009 九针点阵式打印机芯通用规范
- SJ/T11395-2009 半导体照明术语
- SJ/T10631-1995 工艺文件的编号
- SJ/T11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ51919/5-2002 JGL30-2.5-01型舰用两芯多模光缆连接器详细规范
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:[email protected]
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1