【电子行业标准(SJ)】 3CG110型PNP硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部
3CG110型PNP硅外延平面
高频小功率三极管
SJ1472—79
1，本标准适用于3CG110型PNP硅外延平面高额小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2.该产品除本标准规定外，三类应符合SJ281一76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定，二类应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3外型结构和尺寸应符合SI139—78《半导体三极管外形尺寸》的B-1型。
4.技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合SJ155～170一65《半导体三极管测试方法》的规定。（2）hFB分档标志：此内容来自标准下载网
hFE范园
注，允许测试误举为±10%。
80~120
120~180
180~270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a、b、d三项应符合参数规范表的规范值，hzz的相对变化不得超过±20%。a，反向电流，
b.饱和压降：
c电流放大系数，
d。反向击穿电压。
（4）高温贮存和额定功率试验条件：中华人民共和国第四机械工业部发布
1980年6月1日，实施
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SJ1472—79
a。高温贮存试验条件：按Ti为175°C下进行b，额定功率试验条件：功率为Pc值；电压Vc为10V。（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：a，IcBo不得大于规范值的两倍；b。hg的相对变化，不得超过±35%cVnEs的相对变化，不得超过+20%，d，Vces的变化不得超过0.1V+VcEs初·20%。5.说明：
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准，（2）生产单位应在产品目录中提供Kp、Co、Np的典型值，（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a.Ig—VBEI
b.Ie-VcEs
c.BVcEO、BVcBO-TAs
d. hp-Tat
e,hee-Ics
h.Cob-VcBl
i,IcBO,IcBO-TA.
（4）光刻版图尺寸见附录三中图2。2
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SJ1472—79
AO1-82
AOT-34
AOT--0SA
2HW0-9
AS'T--&aA
AO1-34
魏试条依
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