【电子行业标准(SJ)】 3CG101型PNP硅外延平面高频小功率三极管

中华人民共和国第四机械工业部部
3CG101型PNP硅平面高频
小功率三极管
SJ1469-79
1.本标准适用于3CG101型PNP硅平面高频小功率半导体三极管。该产品用于电子设备的高频放大和振荡电路中。2.该产品除本标准规定外，三类应符合SJ28176《半导体二、三极管总技术条件》的规定。二类应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定。
3。外型结构和尺寸应符合SJ139—78《半导体三极管外形尺寸》的B-1型。4.技术要求和试验方法：
（1）电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法，应符合SJ155～170一65《半导体三极管测试方法》的规定。（2）h分档标志：
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注：允许测试误差为±10%。
80~120
120~180
180270
（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a、b、d三项应符合参数规范表的规范值，hEE的相对交化不超过士20%。a.反向电流；
b.饱和压降，
c电流放大系数
d。反向击穿电压。
（4）高温存和额定功率试验条件：a，高温贮存试验条件：按Ti为175C下进行，中华人民共和国第四机械工业部发布1
1980年6月1日
SJ1469-79
b，额定功率试验条件：功率为PcM值，电压Vc为10V。（5）高温储存和额定功率试验后，按下列标准考核：a。IcBo不大于规范值的两信；
b，hzE的相对变化，不得超过±35%，CVBEs的相对变化，不得超过+20%d，VcEs的变化不得超过0.1V+VcEs-20%。5.说明，
（1）本标准参数表中的电参数，均以25°C为准；共3页第2页
（2）生产单位应在产品目录中提供KP、Cos、N的典型值（3）生产单位应在产品目录中提供下列特性曲线：a. Ig-VBE)
b,Ic-Vee
C.BVcEO、BVcBO-TA
d.hFe-Tay
f,fT-lc
h. Co-Vob,
i.IcEO,IcBO-TA
（4）光刻版图尺寸见附录三中图2。2
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共8页第3页
AOT-8SA
Vuot-n
Vutmai
遇试条件