【国家标准(GB)】 电子元器件结构陶瓷材料

ICS31.030
中华人民共和国国家标准
GB/T5593—1996
电子元器件结构陶瓷材料
Structure ceramic materials used in electronic components1996-09-09发布
国家技术监督局
1997-05-01实施
GB/T5593-1996
引用标准
试验方法
检验规则
标志、包装、运输和贮存
GB/T5593-1996
本标准文本是国家标准GB5593一85《电子元器件结构陶瓷材料》的第一次修订版。本标准按国家标准GB/T1.1一1993的要求对GB5593一85进行了修改；对电子元器件结构陶瓷材料的-些性能指标进行了补充和修订；按照国家标准GB4457～446084、GB11821184—80的规定，对GB5593一85中测试样品形状、尺寸和要求进行了修订。本标准自实施之日起同时代替GB5593—85。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位：北京真空电子技术研究所和电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人：高陇桥、肖永光、曾桂生、谭少华、王玉功。1范围
中华人民共和国国家标准
电子元器件结构陶瓷材料
StructureceramicmaterialsusedinelectroniccomponentsGB/T5593--1996
代替GB5593-85
本标准规定了电子元器件结构陶瓷材料（以下简称陶瓷材料）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。bzxz.net
本标准适用于装置零件、电子管、电阻基体、半导体及集成电路等用的各种陶瓷材料。2引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB1966—80
GB241381
GB2421—89
GB5592—85
多孔陶瓷显气孔率容重试验方法压电陶瓷材料体积密度测量方法电工电子产品基本环境试验规程总则电子元器件结构陶瓷材料的名称和牌号的命名方法GB5594.1—85
GB5594.2—85
GB5594.3—85
GB5594.4—85
GB5594.5—85
GB5594.6-85
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法GB5594.7—85
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法GB5594.8--85
GB 5597-85
GB 5598--85
GB9530--88
3定义
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法固体电介质微波复介电常数的测试方法氧化铍瓷导热系数测定方法
电子陶瓷名词术语
本标准所用定义符合GB9530的规定。4要求
4.1分类与命名
气密性测试方法
杨氏弹性模量泊松比测试方法
平均线膨胀系数测试方法
介质损耗角正切值的测试方法
体积电阻率测试方法
化学稳定性测试方法
透液性测试方法
显微结构的测定方法
陶瓷材料根据其用途和性能按表1进行分类。其名称和牌号的命名符合GB5592的规定。4.2性能
陶瓷材料的物理性能、电性能、化学性能等应符合表1的规定。国家技术监督局1996-09-09批准1997-05-01实施
体积密度
气密性
透液性
抗折强度
弹性模数
泊松比
抗热震性
线膨胀系数
导热系数
介电常数
介质损耗角正切值
体积电阻率
击穿强度
化学稳定性
气孔率
晶粒大小
测试条件
20℃~100℃
20℃～500℃
20℃~800℃
100℃
500℃
300℃
500℃
1:9HCI
10%Na0H
GB/T5593-1996
单位及符号
x10-6/C
X10-°/C
X10-*/C
W/m·K
mg/cm2
莫来石瓷
主要用作
电阻体
莫来石瓷
≥>100
≥>1012
主要用作
大型装暨
滑石瓷
滑石瓷
≥120
≥102
适用于作一般装置
镁橄榄石瓷
≥110
≥150
0.20~0.25
10.5~11.5
≥103
≥1010
用作小型
电真空零
75%Al.0，瓷90%Ai0：瓷
95%A1,0，瓷
≥200
≥1012
可用作
高机械强
度装置零
≥230
≥250
0.20~0.25
≥1013
用作管
壳及封装
≥280
≥280
0.20~0.25
≥1013
用作管壳
及电路基片
GB/T5593—1996
99%Al,0瓷
≥300
≥10t3
用作管壳
及电路基片
透明瓷
≥300
≥10″
用作集成
电路基片、
输出窗片
A·多孔
多孔Al,O：瓷
≥1013
用作管内
绝缘件及衰
减材料
95%BeO瓷
≥146
≥1013
99%BeO瓷
≥140
≥176
用作高温、高导热绝缘零
件及半导体器件底片
5试验方法
GB/T5593-1996
5.1如果本标准没有特殊规定时，陶瓷材料的所有试验应在GB2421所规定的正常的试验大气条件下（温度15℃～35℃，相对湿度45%～75%，气压86kPa～106kPa)进行。5.2试验所用样品的形状、尺寸、要求和数量应符合本标准表2的规定。除多孔瓷和三公分波段（10GHz)试验项目外，测量陶瓷材料的电性能时，样品两面应按表2的要求用烧渗法覆上一层完整的银层作为电极。表2
体积密度
气密性
抗折强度
样品数
(1)圆形
(2)方形
形状、尺寸和要求
0.25±0.02
弹性模数、泊松比
抗热露性(热稳定性)
膨胀系数
GB/T5593—1996
表2(续)
样品数
形状、尺寸和要求
120±1
$20±1
两端面应磨平，且其垂直度不得大于0.05主0
导热系数
高温损耗
介电常数，介
质损耗角正
GB/T5593-1996
表2(续)
样品数
形状、尺寸和要求
$35±5
$65±0.05
被银层
2.3±0.04
2.5±0.02
体积电阻率
击穿强度
化学稳定性
GB/T5593-1996
表2(完)
样品数
被银层
形状、尺寸和要求
$26±1
$35±5
5.3测量陶瓷材料的体积密度时，应按GB2413规定的方法进行。5.4测量陶瓷材料的气密性时，应按GB5594.1规定的方法进行。被银层
s'0王
5.5测量陶瓷材料的透液性时，一般应由制造厂对产品进行常压下吸红检查。制造厂应保证产品不吸红，如发现有问题时，双方可共同取样进行再次检验，其检验应按GB5594.7规定的方法进行。5.6测量陶瓷材料抗折强度时，支点间的距离应为5cm，负荷加在样品中心，负荷增加的速度不大于39N/s，测量误差不超过±10%。抗折强度。按下列公式计算
圆柱形试样：
.（1）
式中：g—抗折强度，MPa；
P——抗折负荷,N；
L——支点间距离，cm；
GB/T5593-—1996
D-—试样折断面截面的直径，cm。方形截面试样；
式中：g-抗折强度，MPa；
P—抗折负荷,N；
L—支点间距离，cm；
b-试样折断截面宽度，cm；
h试样折断截面的厚度，cm。
5.7·测量陶瓷材料的弹性模数、泊松比时，应按GB5594.2规定的方法进行。（2）
5.8测量抗热震性（热稳定性)时，应将试样洗净，并在120℃10℃的加热箱中烘干，自然冷却至室温，然后放入规定试验温度的加热炉中持续30min。将试样取出放置在石棉板上，在正常试验大气条件下自然冷却至室温，随后再将试样放入规定温度的加热炉中，重复试验直至规定的次数为止，最后在1%浓度的品红溶液中浸置3min，取出洗净、擦干，在灯光下观察样品不应有裂纹、炸裂。对A-90、A-95、A-99、A-99.5、B-95、B-99陶瓷材料，规定温度为800℃士10℃，反复10次为合格。对M2S陶瓷材料，其试验温度为400℃士10℃C，反复五次为合格。5.9测量陶瓷材料的线膨胀系数，按GB5594.3规定的方法进行。5.10测量陶瓷材料的导热系数，按GB5598规定的方法进行。5.11陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测量按5.11.1~5.11.4进行。5.11.1.测量陶瓷材料的介电常数(10GHz除外)时，可用保证测量电压不大于5V和测试误差不大于2%的任何方法及仪器进行。
测试频率为1MHz士0.3MHz。
测试结果按下列公式计算：
式中：e介电常数；
C—试样的电容量，PF；
h试样的厚度，cm；
D—试样的直径，cm
（3）
5.11.2测量陶瓷材料的介质损耗角正切值（10GHz除外)时，可用测试误差不大于(0.1tano+0.0002)的方法进行。
测试频率：1MHz士0.5MHz。
测试误差中的tano为试样的介质损耗角正切值。测试电压不应大于15V，试样在测试前应进行仔细的清洁处理。对于AS2、MS、A-75三种陶瓷材料进行受潮后介质损耗角正切值的测量，应将试样放入蒸馏水中煮沸1h，在水中冷却室温，取出后用滤纸或干净的纱布擦干，再在正常的试验大气条件下放置2h，立即测量。
5.11.3测量陶瓷材料的高温介质损耗角正切值和介电常数时，按GB5594.4规定的方法进行。8
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