【国家标准】半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

本网站发布时间： 2026-03-11 15:57:01

GB/T43493.2-2023
现行
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基本信息

标准号：
GB/T 43493.2-2023
标准名称：
半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法
标准类别：
国家标准(GB)
英文名称：
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
标准状态：
现行
发布日期：
2023-12-28
实施日期：
2024-07-01
出版语种：
简体中文
下载格式：
.pdf .zip
下载大小：
5.26 MB

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标准分类号

标准ICS号：
电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
中标分类号：
电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料

关联标准

出版信息

出版社：
中国标准出版社
页数：
24页
标准价格：
43.0

其他信息

起草人：
芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金
起草单位：
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司等
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会

标准简介/下载

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标准简介：

本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

标准内容

部分标准内容：

ICS 31.080.99
CCS L 90
GB
中华人民共和国国家标准
GB/T 43493.2—2023 / IEC 63068-2:2019
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据
第2部分：缺陷的光学检测方法
Semiconductor device Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices Part 2: Test method for defects using optical inspection
2023-12-28发布
2024-07-01实施
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布

前言
本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件为GB/T 43493《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的第2部分，该系列还包括缺陷分类及光致发光检测方法等部分。
本文件等同采用IEC 63068-2:2019《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及其材料分技术委员会提出并归口。
本文件起草单位包括河北半导体研究所、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学等多家单位。
本文件主要起草人包括芦伟立、房玉龙、李佳等。

引言
碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高导热率及高饱和电子漂移速率等优异性能，在功率半导体器件中具有重要应用。
由于成本、产量及可靠性等因素限制，SiC外延片仍存在一定数量缺陷，因此需要建立统一的缺陷检测与评价标准。
GB/T 43493旨在规定4H-SiC同质外延片缺陷的分类及检测方法，包括光学检测与光致发光检测两种技术路线。

1 范围
本文件规定了4H-SiC同质外延片缺陷的光学检测方法，包括测试原理、参数设置、检测步骤及评价方法。
本文件适用于功率半导体器件用SiC外延片的质量检测与缺陷识别。

2 规范性引用文件
本文件引用相关标准构成本文件必要条款。

3 术语和定义
4 缩略语
5 概述
6 光学检测方法
  6.1 通则
  6.2 原理
  6.3 测试需求
  6.4 参数设置
  6.5 测试步骤
  6.6 评价
  6.7 精密度
  6.8 测试报告

附录A（资料性）缺陷的光学检测图像与分类说明
A.1 概述
A.2 微管
A.3 TSD
A.4 TED
A.5 BPD
A.6 划痕痕迹
A.7 堆垛层错及其延伸与复合形态
A.8 多型包裹体与颗粒包裹体
A.9 台阶聚集簇
A.10 其他缺陷示例

参考文献

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