【国家标准】 半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器

ICS 31.080 CCS L50 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 15651.5—2024 / IEC 60747-5-5:2020 半导体器件，光电子器件 第5-5部分：光电耦合器 Semiconductor devices - Part 5-5: Optoelectronic devices — Photocouplers（IEC 60747-5-5:2020, IDT） 2024-03-15 发布 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 2024-07-01 实施 前言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 本文件是GB/T 15651的第5-5部分。GB/T 15651已经发布以下部分： ——半导体器件分立器件和集成电路 第5部分：光电子器件（GB/T 15651—1995）； ——半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性（GB/T 15651.2—2003）； ——半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法（GB/T 15651.3—2003）； ——半导体器件分立器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器（GB/T 15651.4—2017）； ——半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器（GB/T 15651.5—2024）； ——半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管（GB/T 15651.6—2023）； ——半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管（GB/T 15651.7—2024）。 本文件等同采用IEC 60747-5-5:2020《半导体器件 第5-5部分：光电子器件 光电耦合器》。 本文件做了下列最小限度的编辑性改动： ——范围中删除注的内容，“optocoupler”与“photocoupler”均译为光电耦合器。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口。 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第四十四研究所、威凯检测技术有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、国网江苏省电力有限公司。 本文件主要起草人：刘秀娟、赵英、张佳宁、曹勇、崔波、龚磊、徐晓轶、刘东月、成先文、霍福广。 引言 制定GB/T 15651系列的第5-5部分，为光电耦合器产品的测试、评价等提供依据。 GB/T 15651系列第5部分为半导体光电子器件系列标准，涵盖总体要求、基本额定值、特性及测试方法等内容。 1 范围 本文件规定了光电耦合器的电特性及相关测试方法，适用于光电耦合器的设计、测试与评价。 2 规范性引用文件 本文件未单独列出详细引用内容（原文结构保持）。 3 术语和定义 （原文未提供具体定义内容） 4 电特性 4.1 光电晶体管输出型光电耦合器 4.2 光电双向晶闸管输出型光电耦合器或固态光继电器 5 具有电击防护功能的光电耦合器 5.1 概述 5.2 类型 5.3 额定值 5.4 电气安全要求 5.5 电气、环境和/或耐久性测试信息（补充信息） 6 光电耦合器的测试方法 6.1 电流传输比 HF(CT) 6.2 输入-输出电容 C_io 6.3 输入-输出隔离电阻 R_io 6.4 隔离试验 6.5 局部放电测试 6.6 集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat) 6.7 开关时间 t_on、t_off 6.8 峰值关断状态电流 I_DRM 6.9 峰值导通电压 V_TM 6.10 直流关断电流 I_Bp 6.11 直流导通电压 V_T 6.12 维持电流 I_H 6.13 关断电压临界上升率 dV/dt 6.14 输入触发电流 6.15 共模瞬态抑制（CMTI）测试方法 7 光控双向晶体管型耦合器电额定值测试方法 7.1 关断状态重复峰值电压 V_PRM 7.2 关断状态直流电压 V_BD 附录A（规范性）输入/输出安全试验 A.1 目的 A.2 测试电路 A.3 电路描述 A.4 注意事项 A.5 测试步骤 A.6 规定条件 参考文献