- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 50033.57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
标准号:
SJ 50033.57-1995
标准名称:
半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行出版语种:
简体中文下载格式:
.rar .pdf下载大小:
242.96 KB

点击下载
标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
SJ 50033.57-1995 半导体光电子器件 GF115型红色发光二极管详细规范 SJ50033.57-1995

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033/57—1995
半导体光电子器件
GF115型半导体红色发光二级管
详细规范
Semiconductor optoelectronic deviceDetail specification for red lightemitting diode for type GF1151995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GF115型半导体红色发光二级管详细规范Semicoductor optoelectronic dericeDetail specification tor red lightemitting diode for type GF1151范围
1.1主题内容
本规范规定了GF115型红色发光二级管的详细要求。1.2适用范团
SJ50033/57-1995
本规范适用于军用GF115型红色发光二级管(以下简称器件)的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件的等级
按照GJB33<半导体分立器件总规范>的规定,提供的质量保证等级为普军和待军两级分别用字母 GP 和 GT 表示。
2引用文件
GJB 33—85
GIB 12886
SL2355--83
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体发光器件测试方法
SJ/79014.2—87半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件3要求
3.1概述
各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构应接照GJB33中3.5.1、3.5.3.3.5.4、3.5.7条和本规范的规定。外形尺寸符合本规范图1的规定。
3.2.1半导体芯片材料
芯灶材料为磷化镓。
3.2.2引用端排列
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
ITKAONKAca-
如图1所示
尺寸符号
SJ50033/57-1995
环氟树脂
3.2.3封装形式
环氧树脂非空腔封装,见图1。
3.2.4引线长度
尺寸符号
可按合间的规定(见本规范6.2条)提供引线长度不同于本规范图1规定的器件。3.3引线材料和引线涂层
引线材料为铁合金或铜合金,引线涂层镀银或镀金,也可按照合同规定(见本规范第6.2条)。
3.4最大额定值和主要光电特性
最大额定值(除另有规定,Tamb=25)3.4.1
注:1)脉冲宽度 0. 1ms,占空比1/10。3.4.2主要光电特性(TA=25c)
(Iμ= 10mA.
(Ir=10mA.
#=30)
最小值最大值免费标准下载网bzxz
最小值 最大值
(Ie= 10mA)
最小值
[r=10mA
最大值!最小值
最大镇
- 40~ 85
(V=0, f- 1MHz)
最小值
最大值
-40-100
(V=6V)
最小值
最大值
3.5标志
SJ50033/57-1995
根据器件特点,省略GIB33中器件上的标志,其余按GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
拙样和检验应按GJB 33和本规范的规定。4.2筛选(仅对 GT级)
筛选按GJB33和本规范表1的规定。表1筛选步骤和条件(仅对GT级)序号
检验或试验
内部目检(封装
!商温寿命
热神击
(温度循环)
恒定加速
度(不要求)
密封(不要求)
高温反偏(不适
中间电参数
发光强度
正向电压
反向电
电老化
最后测试
【老北后 T2h 内
完成)
发光强度
正向电压
密封(不要求)
外观及机械检验
4.3鉴定检验
SJ/z 9014.2
SI 2355.2
SJ 2355.3
GIB128
放大30倍检验
T=100'c
t= 24h
除最高温度T=100°℃,
最低温度-40℃,循环
次数10次外.其余
试验条件A
1=10mA,9-0
1=10mA
1=30mA
r= 96h
SI/Z 9014.2 Ir= 10mA,G=0
Ig=10mA
放大20倍检验
极限值
最小值
最大值
芯片完整、电极完整
鉴定检验应按GJB33和本规范表2、表3和表4的规定。1.5
20%初始值
无气泡、无裂缝
TTKAONKAa-
4.4质量一致性检验
SJ 50033/57—1995
质量一致性检验应包括A组(见表2)、B组(见表3)和C组(见表4)中规定的检验和试验,以及下面的规定,
4.4.1如果制造厂选择下面的方法做试验,应在做相应B组试验之前,指定C纽检验中使用的样品,而且计算C组检验接收或拒收的失效器件数应等于B组检验中指定继续做C组检验的样品中出现的失效器件数加上C组检验中出现的失效器件数。在做C组检验中的寿命试验时,制适广可以选择已经过340h的B组寿命的全部样a.
品或部分样品再进行660h的试验,以满足C组寿命试验1000h的要求。b。在做C组检验的温度循环试验时,制造厂可以选择已经过B组10次循环的全部样品或部分样品再进行15次循环,以满足C组25欣循环的要求。4.4.2C组检验应在初始批时开始进行,然后在生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.3如果合同中已做规定(见本规范6.2条),么制造厂应将质量一致性检验数据同产品“一起提供。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按表2、表3,表4和表5中的规定,并做如下规定:4.5.1稳态工作寿命
器件处于最大恒定电流为30mA的正向偏置。表 2 A 组检验
检验或试验
Al分组
外观及机
械检验
A2分组
发光强度
发光强度
反向电流
证向电压
A3分组
成向电流
正向电压
A4分组
峰值发射
SI/Z 9014.2
SI/Z 9014.2
5I 2355.3
SJ 2355.2
SI/z 9014.2
放大20倍检验
I,= 10mA, 8=0'
1g=10mA, =30°
1Fr=J0mA
T.-h = 85℃
7amb= - 40°℃
Ip=10mA
Ir= 10mA
Vr = 0. f - 1MH.
极限值
最小值
最大值
无气泡、无裂缝
检验或试验
B1分组
可焊性
B2分组
热冲击
(温度循环)
最后测试
B3 分组
稳态工作
最后测试
B4 分组
(不适用)
B5分组
(不要求)
B6分组
高温筹合
(不工作)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(温度循环)
引出端强度
综合温度/
湿度同期试验
处观及械试验
最后测试
C3分组
(不婴求)
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
(不要求)
C6分组
稳态工作
最后测试
C7分组
高温寿命(不工作)
最后测试
SJ 50033/57-1995
表3B组捡验
GJB128
受试引线数:2
除高温100,低温-40c
循环次数 10 次外,其余按试验条件 A表5涉骤1
Ig=30mA,t=340h
表5步骤1
Tn,= 100C,t= 340h
表5步骤
表 4 C组检验
GJB 128
见本规范图!
除商温100℃外,低温-4h外,其余按 A--1 条件
试验茶作E
器件应带具
放大20倍检验,应无气泡、
无裂缝
表5步骤1
按规定
Ip=30mA,1=1000b
表5步骤2
Tstg-100'C, t-1000h
表5步骤2
入= 10
TTKAONKAa-
5包装
反向电流
正向电压
发光强度
反向电流
正向电压
发光强度
SJ 50033/57—1995
表5B组和C组的测试
GJB 128
SJ 2355.2
SJ/Z9014.2
$T 2355.3
SI/29014.2
包装应符合 GJB 33 的要求。
6说明事项
6.1预定用途
Ip=10mA
Ir=10mA
Ye= 6V
Ip=10mA
I,=10mA
在各种电子仪器设备中做显示和指示。6.2订货文件内容
极限值
最小值
,如果引线不是镀银或镀金,应规定镀层(见本规范3.3条);最大慎
b。如果引线长度不同于图1,应规定引线长度。(见本规范3.2.4茶);c检验数据(见本规范4.4.3条)6.3定义
本规范使用的定义缩写词、符号和代号应符合GJB33.SJ/Z9014.2和下列规定:一与器件机械摘之间的夹角。
附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由长春市半导体厂负责起草。本规范主要起草人:马学之、陈鸿媛计划项目代号:B21029。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
SJ 50033/57—1995
半导体光电子器件
GF115型半导体红色发光二级管
详细规范
Semiconductor optoelectronic deviceDetail specification for red lightemitting diode for type GF1151995-05-25发布
1995-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GF115型半导体红色发光二级管详细规范Semicoductor optoelectronic dericeDetail specification tor red lightemitting diode for type GF1151范围
1.1主题内容
本规范规定了GF115型红色发光二级管的详细要求。1.2适用范团
SJ50033/57-1995
本规范适用于军用GF115型红色发光二级管(以下简称器件)的研制、生产和采购。1.3分类
1.3.1器件的等级
按照GJB33<半导体分立器件总规范>的规定,提供的质量保证等级为普军和待军两级分别用字母 GP 和 GT 表示。
2引用文件
GJB 33—85
GIB 12886
SL2355--83
半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
半导体发光器件测试方法
SJ/79014.2—87半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件3要求
3.1概述
各条要求应按照GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构应接照GJB33中3.5.1、3.5.3.3.5.4、3.5.7条和本规范的规定。外形尺寸符合本规范图1的规定。
3.2.1半导体芯片材料
芯灶材料为磷化镓。
3.2.2引用端排列
中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施
ITKAONKAca-
如图1所示
尺寸符号
SJ50033/57-1995
环氟树脂
3.2.3封装形式
环氧树脂非空腔封装,见图1。
3.2.4引线长度
尺寸符号
可按合间的规定(见本规范6.2条)提供引线长度不同于本规范图1规定的器件。3.3引线材料和引线涂层
引线材料为铁合金或铜合金,引线涂层镀银或镀金,也可按照合同规定(见本规范第6.2条)。
3.4最大额定值和主要光电特性
最大额定值(除另有规定,Tamb=25)3.4.1
注:1)脉冲宽度 0. 1ms,占空比1/10。3.4.2主要光电特性(TA=25c)
(Iμ= 10mA.
(Ir=10mA.
#=30)
最小值最大值免费标准下载网bzxz
最小值 最大值
(Ie= 10mA)
最小值
[r=10mA
最大值!最小值
最大镇
- 40~ 85
(V=0, f- 1MHz)
最小值
最大值
-40-100
(V=6V)
最小值
最大值
3.5标志
SJ50033/57-1995
根据器件特点,省略GIB33中器件上的标志,其余按GJB33的规定。4质量保证规定
4.1抽样和检验
拙样和检验应按GJB 33和本规范的规定。4.2筛选(仅对 GT级)
筛选按GJB33和本规范表1的规定。表1筛选步骤和条件(仅对GT级)序号
检验或试验
内部目检(封装
!商温寿命
热神击
(温度循环)
恒定加速
度(不要求)
密封(不要求)
高温反偏(不适
中间电参数
发光强度
正向电压
反向电
电老化
最后测试
【老北后 T2h 内
完成)
发光强度
正向电压
密封(不要求)
外观及机械检验
4.3鉴定检验
SJ/z 9014.2
SI 2355.2
SJ 2355.3
GIB128
放大30倍检验
T=100'c
t= 24h
除最高温度T=100°℃,
最低温度-40℃,循环
次数10次外.其余
试验条件A
1=10mA,9-0
1=10mA
1=30mA
r= 96h
SI/Z 9014.2 Ir= 10mA,G=0
Ig=10mA
放大20倍检验
极限值
最小值
最大值
芯片完整、电极完整
鉴定检验应按GJB33和本规范表2、表3和表4的规定。1.5
20%初始值
无气泡、无裂缝
TTKAONKAa-
4.4质量一致性检验
SJ 50033/57—1995
质量一致性检验应包括A组(见表2)、B组(见表3)和C组(见表4)中规定的检验和试验,以及下面的规定,
4.4.1如果制造厂选择下面的方法做试验,应在做相应B组试验之前,指定C纽检验中使用的样品,而且计算C组检验接收或拒收的失效器件数应等于B组检验中指定继续做C组检验的样品中出现的失效器件数加上C组检验中出现的失效器件数。在做C组检验中的寿命试验时,制适广可以选择已经过340h的B组寿命的全部样a.
品或部分样品再进行660h的试验,以满足C组寿命试验1000h的要求。b。在做C组检验的温度循环试验时,制造厂可以选择已经过B组10次循环的全部样品或部分样品再进行15次循环,以满足C组25欣循环的要求。4.4.2C组检验应在初始批时开始进行,然后在生产过程中每隔6个月进行一次。4.4.3如果合同中已做规定(见本规范6.2条),么制造厂应将质量一致性检验数据同产品“一起提供。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法按表2、表3,表4和表5中的规定,并做如下规定:4.5.1稳态工作寿命
器件处于最大恒定电流为30mA的正向偏置。表 2 A 组检验
检验或试验
Al分组
外观及机
械检验
A2分组
发光强度
发光强度
反向电流
证向电压
A3分组
成向电流
正向电压
A4分组
峰值发射
SI/Z 9014.2
SI/Z 9014.2
5I 2355.3
SJ 2355.2
SI/z 9014.2
放大20倍检验
I,= 10mA, 8=0'
1g=10mA, =30°
1Fr=J0mA
T.-h = 85℃
7amb= - 40°℃
Ip=10mA
Ir= 10mA
Vr = 0. f - 1MH.
极限值
最小值
最大值
无气泡、无裂缝
检验或试验
B1分组
可焊性
B2分组
热冲击
(温度循环)
最后测试
B3 分组
稳态工作
最后测试
B4 分组
(不适用)
B5分组
(不要求)
B6分组
高温筹合
(不工作)
最后测试
检验或试验
CI分组
外形尺寸
C2分组
热冲击
(温度循环)
引出端强度
综合温度/
湿度同期试验
处观及械试验
最后测试
C3分组
(不婴求)
C4分组
盐气(适用时)
C5分组
(不要求)
C6分组
稳态工作
最后测试
C7分组
高温寿命(不工作)
最后测试
SJ 50033/57-1995
表3B组捡验
GJB128
受试引线数:2
除高温100,低温-40c
循环次数 10 次外,其余按试验条件 A表5涉骤1
Ig=30mA,t=340h
表5步骤1
Tn,= 100C,t= 340h
表5步骤
表 4 C组检验
GJB 128
见本规范图!
除商温100℃外,低温-4h外,其余按 A--1 条件
试验茶作E
器件应带具
放大20倍检验,应无气泡、
无裂缝
表5步骤1
按规定
Ip=30mA,1=1000b
表5步骤2
Tstg-100'C, t-1000h
表5步骤2
入= 10
TTKAONKAa-
5包装
反向电流
正向电压
发光强度
反向电流
正向电压
发光强度
SJ 50033/57—1995
表5B组和C组的测试
GJB 128
SJ 2355.2
SJ/Z9014.2
$T 2355.3
SI/29014.2
包装应符合 GJB 33 的要求。
6说明事项
6.1预定用途
Ip=10mA
Ir=10mA
Ye= 6V
Ip=10mA
I,=10mA
在各种电子仪器设备中做显示和指示。6.2订货文件内容
极限值
最小值
,如果引线不是镀银或镀金,应规定镀层(见本规范3.3条);最大慎
b。如果引线长度不同于图1,应规定引线长度。(见本规范3.2.4茶);c检验数据(见本规范4.4.3条)6.3定义
本规范使用的定义缩写词、符号和代号应符合GJB33.SJ/Z9014.2和下列规定:一与器件机械摘之间的夹角。
附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由长春市半导体厂负责起草。本规范主要起草人:马学之、陈鸿媛计划项目代号:B21029。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:





- 热门标准
- 行业标准
- SJ50033.150-2002 半导体分立器件 2DW230-236型硅电压基准二极管详细规范
- SJ/T31142-1994 荧光灯排气车完好要求和检查评定方法
- SJ1795-1981 50-1000mA小电流半导体闸流管
- SJ1417-1978 3DA103型NPN硅高频大功率三极管
- SJ1469-1979 3CG101型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ/T31346-1994 家用空调电机生产总装流水线完好要求和检查评定方法
- SJ1287-1977 FU-101F FU-101Z型电子管
- SJ1471-1979 3CG103型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ1483-1979 3CG140型PNP硅外延平面高频小功率低噪声三极管
- SJ2789-1987 电子设备用电位器 第五部分:分规范 单圈旋转低功率线绕和非线绕电位器 (可供认证用)
- SJ2646.3-1985 冷冲模 顶杆
- SJ1051-1976 K-19反射速调管
- SJ1056-1976 CKM-99脉冲磁控管
- SJ1425-1978 3DA106型NPN硅高频大功率三极管
- SJ2143-1982 3DH1-13型硅稳流三极管
- 行业新闻
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1