【电子行业标准(SJ)】 电子器件详细规范 ＢＴ３７型ＰＮ硅单结晶体管(可供认证用)

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范
BT37型PN硅单结晶体管
Detail specification for electronic componentPN silicon unijunction transistors for type BT 37（可供认证用）
SJ/T10066--91
本规范规定了BT37型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。本规范符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560体分立器件分规范》的要求。
中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准《半导
1991-07-01实施
中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：
SJ/T10066--91
GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
GB12560《半导体分立器件分规范》SJ/T10066--91
BT37A.BT37B.BT37C.BT37D.BT37E.BT37F型PN硅单结晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章
机械说明
外形标准：GB7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号A3-02C
外形图及引出端识别：
公称尺寸：单位mm
标志，见本规范第6章
2简略说明
PN硅单结晶体管
半导体材料：N型硅
封装：金属（空腔）
应用，适用于双稳态线路，电压偏置线路，时间线路及点火和振荡线路
3质量评定类别
参考数据：（Tamb=25℃）
Puot(T)700mW
7 :0. 30~0. 55(A B)
0. 45~0.75(C D)
0.65~0.90(EF)
Vai≤4V
Is:5~35mA
极限值（绝对最大额定值）
条文号
极限值
工作环境温度
延存温度
最高基极电压心
耗散功率
最高有效（等效）结温
与温度相关的最大总耗
散功多
注：①见附录B,其中R-2002。
SJ/T10066-91
V2BIONAX)
Puot(T)
②Tamb>25C，Ptot按4.67mW/C线性降额。5电特性
检验要求见本规范的第8章
特性和条件
条文号
除非另有规定
Tamb=25℃
分压比
Vszalm20V
BT37 C、D
BT37E、F
基极间电阻
Vs28-20V
BT37A.C、E
BT37BD、F
发射极与第二基极间反
向电流
Vesz--60V
发射极饱和压降
V82l=20V
lg-50mA
最小值
最大值
最大值
检验组别
条文号
6标志
特性和条件
除非另有规定
Tamb=25℃
基极间调制电流
Va2120V
lg=50mA
发射极峰点电流
Vs281 20V
发射极谷点电流
Va28l20V
Ra21000
谷点电压
V2120V
Rgz=100Q
6.1器件上的标志
SJ/T10066-—91
（续表）
最小值
型号和质量类别（放在型号后面）：制造厂商标；
检验批识别代码；
认证合格标志（适用时）。
包装盒中的标志；
重复器件上的标志；
“防湿”等。
订货资料
型号，此内容来自标准下载网
本规范编号；
其它。
最大值
检验组别
8试验条件和检验要求
全部试验是非破坏性的
检验或试验
A1分组
A2a分组
不工作器件
A2b分组
BT 37 C.D
BT37ACE
BT37BDF
引用标准
附录A7
附录A3
附录A3
附录A7
附录A8
附录A4
附录A5
附录A6
SJ/T10066-91
A组—逐批
除非另有规定
Tamb=25℃
Veml=20V,lg0
Vs28l20V
VB2l=20 V
Vs281—20V,Ig0
Vo2al=20V
lg=50mA
Vn2i=20V
Ig=50mA
VaB1=20V
Vo2120V
Rg=100Q
V28l=20V
Rz=1000
最小值
检查要求
最大值
SJ/T10066-—91
B组—逐批
标明(D)的试验是破坏性的试验（3.6.6)条件
检验或试验
B1分组
B3 分组
引线弯曲
B4 分组
可焊性
B5分组
温度变化
继之以
B8分组
电耐久性
最后测试
AIgp2o
引用标准
附录c
GB4937
GB4937
GB4937
GB4937
GB4937
GB4938
附录A8
附录A7
附录A3
附录A4
除非另有规定
Tamb25C
方法1
受试引出端数：3
外加力：2.5N
试验b
受试引出端数：3
两箱法
T-55℃
T,=-150℃
循环次数，5次
细检漏：
方法1
粗检漏：
方法3
VB2B1(max)=30V
Ptot(T)700mw
时间=168h
Y820-60V
Vos=20V
Va28120V
Va21=20V
Ig50mA
Va28l=20V
Ig=50mA
最小值
检验要求
最大值
见本规范第1章
GB4937
GB4937
漏率：50
初始值的100%
或0.5μA，取其
大者。
由初始值变化
由初始值变化
mPacm*/s
检验或试验
B9分组
高温忙存
最后测试
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4937
SJ/T10066—91
一逐批（续）
除非另有规定
Tamb=25℃
T#g175℃
时间-168h
B3、B4、B5、B8和B9的属性资料数
最小值
检验要求
最大值
SJ/T10066-91
C组——周期
标明(D)的试验是破坏性的试验（3.6.6)条件
检验或试验
C1分组
C2分组
电特性
BT37A.C.E
BT37B.D.F
C3分组
引线拉力
C4分组
耐焊接热
最后测试
C6分组
变频振动
继之以
加速度
引用标准
附景c
附录A7
附录A3
GB4937
GB4937
GB4937
GB4937
除非另有规定
Tamb=25℃
VazBl-20V
受试引出端数：3
外加力=5N
（周期数6个月）
本试验采用：
方法1A
焊料温度260±5℃
没润时间：10土1s
恢复时间：30min
V25=-60V
Vszsl=20V
按规定
196000m/s2
加速度轴和方向：
X.Y方向.Y方向
为管脚向内
最小值
检验要求
最大值
见本规范第1章
GB4937
检验或试验
最后测试
同C4分组
C8分组
电耐久性
最后测试
同B8分组
C9分组
高温存
最后测试
同B8分组
c11分组
耐久性
CRRL分组
引用标准
GB4938
本规范
附录 B
GB4937
GB4937
SJ/T10066-91
除非另有规定
Tamb=25℃
YB2Bi(max)30V
Ptot(T)=700mW
时间=1000h
Tsg-175C
时间=1000h
方法2
C2、C3.C4、C6和C9的属性资料
C8试验前后的测试数据。
鉴定批准试验
一周期（续）
最小值
检验要求
最大值
标志应保持清晰
D组—周期
检验或试验
电耐久性
最后测试
同B8分组
CRRL分组
引用标准
GB4938
除非另有规定
Tamb-25℃
时间≥3000h
VB2B)(max)30 V
Piot(T)=700mW
记录D组试验前后Is29、n、Ve、Rs的测试结果D组试验每年进行一次，仅为了提供资料，不作验收依据。在CRRL分组中记录试验结果。
A1发射极静态特性曲线
A2图形符号
A3n--分压比，由下式定义
SJ/T10066-91
附录A
特性曲线和测试电路
（补充件）
单结晶体管静态发射极特性曲线B
图2单结晶体管图形符号
式中：Vp—势垒压降，硅管一般为0.7V。I
SJ/T1006691
分压比测试电路（直流测试）
TF/40y
分压比测试电路(交流测试)
A4VBI在规定的发射极电流（Ie）和基极电压（VB2B:）条件下，在发射极和第一基极（B1)之间测得的直流电压。
1s2在规定的le和V28l下测得的第二基极（B2)电流。图4发射极饱和压降和基极间调制电流测试电路A5
Ip在规定的基极电压条件下，使V:为最大值的le值。11
10k05100
SJ/T10066—91
0.2μF/63v
图5发射极峰点电流测试电路
A6Iv在规定的外加基极电压和第二基极电阻条件下，I>l时，使V为最小值的le值。R,
图6发射极谷点电流测试电路
A7RB在规定的VB2Bi和发射极开路的条件下，第一基极（B1）和第二基极（B2)之间的电阻，由下式定义：
图7基极间电阻测试电路
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