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- SJ 1683-1980 3DA152型NPN硅高频大功率三极管

【电子行业标准(SJ)】 3DA152型NPN硅高频大功率三极管
本网站 发布时间:
2024-07-13 21:12:06
- SJ1683-1980
- 现行
标准号:
SJ 1683-1980
标准名称:
3DA152型NPN硅高频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1980-12-29 -
实施日期:
1981-10-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
144.29 KB

部分标准内容:
中华人民共和国第四机械工业部部
3DA152型NPN硅高频大功率三极管SJ1683—80
1。本标准适用于3DA152型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管主要用于黑白和彩色电视机行推动及其它功率放大电路。2。三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ281一76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定。bZxz.net
3.三极管的外形尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》中S-6B型的规定。4.技术要求和试验方法
(1)三极管电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数表中除另有注明外,测试环境温度均以25℃为准。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为150℃。试验后测量IcB0、hpE、VcB(.)、V(BR)cEo四项参数。IcBo不超过参数规范值的2倍,he相对变化率不超过35%,VcEtt)不超过0.2V+VeB()初始值的20%,V(BR)CE0不低于规范值的80%,则为合格。(4)额定功率试验条件:功率为Pcz值,电压Vc=30V(其中A和F档为10V),壳温T。75±5℃。试验后考核标准同高温存试验。5.说明
(1)各生产厂应在产品目录或产品说明书中提供所进行的工艺筛选项目和规范。(2)各生产厂应在产品目录或产品说明书中提供下列资料供使用方参考:a.IV的关系曲线:
b.Ic-—Vc的关系曲线
c.hpe——Ic的关系曲线:
d.hrE、Ico—T。的关系曲线:
e。安全工作区。
(3)使用方应在生产单位提供的安全工作区范围内使用三极管。满功率使用时,壳温不得超过75℃。
中华人民共和国第四机械工业部发布
1981年10月1日实施
SJ1683-80
共2页第2页
(%)8
()0
(酱)
()9~08
Vuolal
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
3DA152型NPN硅高频大功率三极管SJ1683—80
1。本标准适用于3DA152型NPN硅高频大功率三极管(以下简称三极管)。该三极管主要用于黑白和彩色电视机行推动及其它功率放大电路。2。三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ281一76《三类半导体二、三极管总技术条件》的规定。bZxz.net
3.三极管的外形尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》中S-6B型的规定。4.技术要求和试验方法
(1)三极管电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ300~314—72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数表中除另有注明外,测试环境温度均以25℃为准。(2)环境试验后,测量JS类电参数,其值仍应符合规范表的规定。(3)高温贮存试验温度为150℃。试验后测量IcB0、hpE、VcB(.)、V(BR)cEo四项参数。IcBo不超过参数规范值的2倍,he相对变化率不超过35%,VcEtt)不超过0.2V+VeB()初始值的20%,V(BR)CE0不低于规范值的80%,则为合格。(4)额定功率试验条件:功率为Pcz值,电压Vc=30V(其中A和F档为10V),壳温T。75±5℃。试验后考核标准同高温存试验。5.说明
(1)各生产厂应在产品目录或产品说明书中提供所进行的工艺筛选项目和规范。(2)各生产厂应在产品目录或产品说明书中提供下列资料供使用方参考:a.IV的关系曲线:
b.Ic-—Vc的关系曲线
c.hpe——Ic的关系曲线:
d.hrE、Ico—T。的关系曲线:
e。安全工作区。
(3)使用方应在生产单位提供的安全工作区范围内使用三极管。满功率使用时,壳温不得超过75℃。
中华人民共和国第四机械工业部发布
1981年10月1日实施
SJ1683-80
共2页第2页
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