【电子行业标准(SJ)】 陶瓷无引线片式载体详细规范

中华人民共和国电子行业军用标准FL5999
SJ 20928—-2005
陶瓷无引线片式载体详细规范
Detail specification for ceramic leadless chip carrier2005-06-28发布
2005-12-01实施
中华人民共和国信息产业部批准前言
本规范是GJB1420A一1999《半导体集成电路外壳总规范》的相关详细规范本规范由中华人民共和国信息产业部提出。本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范起草单位：江苏省宜兴电子器件总厂。本规范主要起草人：周海翔，吴咏生，汤纪南。SJ20928—2005
20t01227
1范围
陶瓷无引线片式载体详细规范
本规范规定了陶瓷无引线片式载体（以下简称载体）的详细要求。2引用文件
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下列文件中的有关条款通过引用而成为本规范的条款。凡注日期或版次的引用文件，其后的任何修改单（不包括勘误的内容）或修订版本都不适用于本规范，但提倡使用本规范的各方探讨使用其最新版本的可能性。凡不注日期或版次的引用文件，其最新版本适用于本规范。GB7092一1993半导体集成电路外形尺寸GJB1420A--1999半导体集成电路外壳总规范3要求
3.1总则
载体应符合本规范和GJB1420A一1999规定的所有要求。本规范和GJB1420A1999不一致时应以本规范为准。
3.2材料和镀覆
3.2.1材料
3.2.1.1底座采用氧化铝陶瓷，其氧化铝的含量应不低于90%。3.2.1.2盖板采用4J42铁镍合金，其要求应符合GJB1420A一1999中3.4.1b）的规定。3.2.1.3底座上的封接环采用4J42铁镍合金，其要求应符合GJB1420A一1999中3.4.1b）的规定。3.2.2镀覆
3.2.2.1镀镍层的厚度应为1.3μm~8.9μm。3.2.2.2键合区和芯片粘接区金层厚度应不小于0.8μm。密封区和接触区金层厚度应不小于1.3μm，可采用多层镍和金镀覆结构。
3.2.2.3镀金工艺中所用金的纯度应不低于99.9%。3.3设计、结构和外形
3.3.1载体的设计和结构应符合GJB1420A一1999中3.5的规定。3.3.2长方形和正方形载体的底座结构见图1，双列形载体的底座结构见图2。3.3.3盖板结构见图3。
3.3.4载体的外形尺寸应符合GB7092一1993的规定及供需双方确认的图纸的要求。1
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上资资变限
有封接环
买学人
无封接环
图1长方形和正方形载体底座结构b
N MYMER M
风质质定
有封接环
质质食员设贸风
无封接环
图2双列形载体底座结构
3.4外观
3.4.1底座部位名称
平行缝焊盖板
底座部位名称见图4。
密封区一底座和盖板封接的区域。3.4.1.1
图3盖板结构
芯片粘接区-粘结芯片的金属化或未金属化区域。3.4.1.2
键合区一于内引线键合的金属化区域。3.4.1.3
熔封(带焊料）盖板
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关键键合区一在距键合区内端部0.13mm的2/3WX2/3W的区域（W为键合区宽度）。3.4.1.5
接触区一提供与外电路机械和电气连接的金属化区域，引出端识别标志一鉴别第一引出端位置的参考特征（例如标记、凹槽、缺口、切角、凹陷或3.4.1.6
键等）。
键合区
密封区
3.4.2缺口和裂纹
关键键合区，芯片粘接区
接触区
底座部位名称
3.4.2.1内拐角：应不大于0.25mm×0.25mm×0.25mm（见图5）引出端识别标志
：_0.13mm
三2/3W
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3.4.2.2外拐角：应不大于0.76mm×0.76mm×0.76mm（见图5）。3.4.2.3内边缘：应不大于0.76mm×0.25mm×0.25mm（见图5）。3.4.2.4外边缘：应不大于0.76mm×0.76mm×0.25mm（见图5）。3.4.2.5缺口不应侵入或暴露任何金属化区域。3.4.2.6不允许有裂纹（见图5）内边缘
>0.76mm×0.25mm×0.25mm
内边缘
≤0.76mm×0.25mm×0.25mm
/内拐角
≤0.25mm×0.25mm×0.25mm
外边缘
≤0.76mm×0.76mmX0.25mm
外拐角
≤0.76mm×0.76mm×0.76mm
3.4.3凸起和凹坑
外拐角
>0.76mm×0.76mmX0.76m
图5缺口和裂纹
3.4.3.1在密封区上应不大于0.025mm（见图6）。≤0.025mml
≤0.025mm
图6凸起和凹坑
/内拐角
>0.25mm×0.25mm×0.25m
外边缘
>0.76mm×0.76mmX0.25mm
3.4.3.2在密封区外缘平面上应不大于0.25mm。在底部平面应不大于0.05mm（见图7）。≤0.25mm
≤0.05mml
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在非关键键合区b应不大于0.05mm（见图8）。3.4.3.3在图8所示的关键键合区a不允许存在，2ba
≤0.05mm+
1≤0.05mm
图8凸起和凹坑
3.4.3.4在芯片粘结区（不包括相距芯腔周边0.38mm以内的区域）凸起应不大于0.025mm，凹坑直径应不大于0.25mm（见图9）。
3.4.4飞边和毛刺
凸起和凹坑
拐角和棱边的飞边和毛刺应不大于0.13mm×0.38mm（见图10）。≤0.13mm
飞边和毛刺
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3.4.5金属化缺损、起皮、起泡、异物3.4.5.1在密封区金属化层缺损应不大于0.25mm或金属化层设计宽度的25%（取其小者）（见图11）。≤0.25mm（或≤25%）
≤0.25mm（或≤25%）
>0.25mm(或>25%)
>0.25m(或>25%）
密封区金属化层缺损
3.4.5.2关键键合区内应无孔隙，非关键键合区孔隙直径应不大于0.13mm（见图12）。n
图12键合区孔隙
3.4.5.3芯片粘接区金属化层孔隙的直径应不大于0.25mm，孔隙的间距应不小于0.76mm。直径（d1）为0.125mm~0.25mm，间距大于0.76mm的孔隙，应不超过3个；直径（d2）为0.025mm~0.125mm，间距大于0.76mm的孔隙，应不超过5个（见图13）。6
≤0.25mm
多于3个
0. 125m多于5个
0. 025mm图13芯片粘接区孔隙
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3.4.5.4关键键合区金属化层应无缺损，非关键键合区金属化层缺损应不大于设计宽度（d）的50%。键合区内端部的金属化层缺损应不大于0.13mm（见图14）≤50%d
键合区缺损
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3.4.5.5相邻键合区间距的减少应不大于设计宽度（ji）的50%（见图15）。≤50%
图15相邻键合区间距
3.4.5.6金属化层不允许起皮、起泡及粘附异物。3.4.6金属化层塌陷与上翻
3.4.6.1密封区边缘金属化层塌陷应不大于该层瓷片（h1）厚度的50%（见图16）。[<50%hlWww.bzxZ.net
≥50%hl
密封区边缘金属化层塌陷
l<50%hl
3.4.6.2芯片粘接区金属化层上翻顶端与键合区的距离应不小于芯腔层瓷片厚度(h2)的50%（图17）。≥50%h2
图17芯片粘接区金属化层上翻
<50%h2
3.4.7封接环与芯腔的偏移
封接环的内沿不应偏移至芯腔内（见图18）。接收
图18封接环与芯腔的偏移
3.4.8盖板
3.4.8.1表面应平整，无凸起、凹坑及明显的划痕。3.4.8.2毛刺应不大于盖板厚度的五分之一。SJ20928—2005
3.4.8.3镀层应呈所镀金属本色，致密、均匀，无发花、锈蚀、起皮和起泡。3.5电特性
3.5.1绝缘电阻
R: ≥1×10102。
3.5.2引线电阻
按供需双方协商的图纸要求。
3.6翘曲度
外壳的翘曲度应不大于0.004mm/mm。3.7平面度
密封区平面度见表1。
密封区平面度
密封区尺寸
12.7~19.05
芯片粘接区平面度见表2。
表2芯片粘接区平面度
芯片粘接区尺寸
6.35~12.7
3.8包装标志
外壳的包装标志应符合GJB1420A一1999中3.7.2的规定。质量保证规定
外壳的质量保证规定按GJB1420A一1999第4章执行。鉴定检验按GJB1420A一1999中4.5及本规范的如下规定：4.1
a）表2中2组b项键合强度试验采用试验条件D；b）表2中4组d项密封试验采用试验条件A1；密封区平面度
单位为毫米
单位为毫米
芯片粘接区平面度
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