GB/T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法 GB/T35006-2018

GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T35003-2018

GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 GB/T14028-2018

本规范规定了硅单片集成电路JW1083/JW1084/JW1085/JW1086型三端可调正输出低压差电压调整器(以下简称器件)的详细要求。 SJ 50597/61-2005 半导体集成电路JW1083/JW1084/JW1085/JW1086型三端可调正输出低压差电压调整器详细规范 SJ50597

本规范规定了半导体集成电路JF124、JF124A型四运算放大器的详细要求。 SJ 50597/63-2006 半导体集成电路JF124、JF124A型四运算放大器详细规范 SJ50597/63-2006

本部分为第5部分，等同采用IEC 60748-5：1997《半导体器件 集成电路 第5部分：半定制集成电路》，本部分规定了集成电路(IC)分类体系树中有关半定制集成电路子类的标准。 GB/T 20515-2006 半导体器件 集成电路 第5部分：半定制集成电路 GB/T20515-2006

本标准规定了半导体集成电路MSO存储器(以下简称器件)各系列和品种的逻辑功能、外引线排列和主要电参数。 GB 3437-1982 半导体集成电路MOS存储器系列和品种 GB3437-1982

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，本规范等同采用国际电工委员会(IEC)标准IEC 60748-2-9：1994《半导体器件 集成电路 第2-9部分：数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范》。 GB/T 17574.9-2006 半导体器件 集成电路 第2-9

本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范，包括电源电压、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。同时给出每类标称电压的两种接口规范：正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的，典型容差大约是10%。宽范围是扩展到一个较宽的范围，可以使电池继续工作的实际值。 GB/T 17574.20-2

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，本规范等同采用IEC 60748-2-11:1999《半导体器件 集成电路 第2-11部分：数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范》英文版。 GB/T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分：数字