本空白详细规范规定了制定“变容二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4589.1－89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB12560－90《半导体器件 分立器件分规范》有关的一系列空白规范中的一个。 GB/T 15178-199

本空白详细规范规定了制定“微波检波、混频二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4589.1-89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB12560－90《半导体器件 分立器件分规范》有关的一系列空白规范中的一个。 GB/T 1517

本空白详细规范规定了制定体效应二极管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4 589.1-89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB 12560－90《半导体器件 分立器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。 GB/T 15137-

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压

本标准给出下列种类或分类器件的标准：整流二极管，包括——雪崩整流二极管；——可控雪崩整流二极管；——快开关整流二极管。?? GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997