本部分等同采用IEC 60747-4-1：2000《半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，具体内容包括：机械说明；简要说明；质量评定类别；极限值；电特性；标志；订货资料；试验条件和简要要求等。 GB

SJ 2136-1982 2DH101-115型硅稳流二极管 SJ2136-1982

SJ 1231-1977 锗开关二极管反向恢复时间测试方法 SJ1231-1977

GB 9499-1988 电子器件详细规范 ZCK120型硅开关二极管(可供认证用) GB9499-1988

本空白详细规范规定了制订《PIN二极管》详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范(可供认证用) GB/T12562-1990

本空白详细规范制定了制订“单结晶体管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 GB/T 13066-1991 单结晶体管空白详细规范 GB/T13066-1991

本空白详细规范规定了制订“电流调整和电流基准二极管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560-90《半导体器件分立器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。 GB/T 13063

本标准的目的是确定质量评定程序，以这种方式使按有关规范要求放行的电子器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分: 信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范 GB/T65

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范(idt IEC 747-10：1984)GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范(idt IEC 747-11：1996) GB/

本标准适用于各种微波二极管的参数测试。 GB/T 6570-1986 微波二极管测试方法 GB/T6570-1986