SJ 1605-1980 硅双基极二极管饱和压降的测试方法 SJ1605-1980

SJ 1400-1978 半导体器件参数符号 SJ1400-1978

本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1000V的器件。本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。本项低气压试验方法和IEC60

本部分代替GB/T 4937-1995《半导体器件 机械和气候试验方法》第Ⅰ篇总则。本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验 第1部分:总则 GB/T4937.1-2006

本部分适用于下列液晶和固态显示模块：——静态/字段型液晶显示模块；——无源矩阵单色液晶显示模块；——无源矩阵彩色液晶显示模块；——有液矩阵单色液晶显示模块；——有源矩阵彩色液晶显示模块；它给出了评定液晶显示模块所需的质量评定程序、检验要求、筛选序列、抽样要求、试验和测试方法的细节。 GB/T 189

GB/T 18910的本部分为液晶和固态显示器件的总规范，规定了ＩＥＣＱ体系质量评定的通用程序，并给出了电光特性测试方法的通用要求，给出了机械、环境和耐久性试验方法。 GB/T 18910.1-2002 液晶和固态显示器件 第1部分: 总规范 GB/T18910.1-2002

本规范适用于除光电子器件之外的半导体分立器件。 GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 GB/T12560-1999

本标准规定了功率晶体管的直流、脉冲和安全工作区测试方法及安全工作区的确定方法。本标准是对国家标准GB 4587《双极型晶体管测试方法》的补充。本标准适用于功率晶体管安全工作区的测试。 GB 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法 GB12300-1990

本标准规定了半导体分立器件型号的命名方法。本标准适用于各种半导体分立器件。 GB/T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法 GB/T249-1989

本规范规定了3DG252型硅微波晶体管的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033/155-2002 半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范 SJ50033/155-2002