本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。 本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。 本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的E

本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。 本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。 试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。 本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。 其失效机理可能不同于空气对

GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 GB/T4937.21-2018

本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。 GB/T 20870.1-2007 半导体器件 第16-1部分：微波集成电路 放大器 GB/T20870.1-2007

本标准等同采用国际标准IEC60747-4：2001《半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件》，内容包括：总则，变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管，混频二极管和检波二极管，雪崩二极管，体效应二极管，双极型晶体管，场效应晶体管，评价和可靠性-特殊要求等内容。 GB/T 20516-2006

本规范构成国际电工委员会电子器件质量评定体系的一部分。本规范是半导体器件(分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路)的总规范。本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序。 GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4589.1-

ＧＢ／Ｔ１８９１０《液晶显示器件》分为6个部分，本部分是ＧＢ／Ｔ１８９１０的第４-１部分。ＧＢ／Ｔ１８９１０的本部分规定了彩色矩阵液晶显示模块的基本额定值和特性。 GB/T 18910.41-2008 液晶显示器件 第4-1部分：彩色矩阵液晶显示模块 基本额定值和特性 GB/T18910.41-20

ＧＢ／Ｔ１８９１０《液晶显示器件》分为6个部分，本部分是ＧＢ／Ｔ１８９１０的第２-２部分。 ＩＥＣ 电子元器件质量评定体系遵循ＩＥＣ 章程并在ＩＥＣ 授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按相关规范要求放行电子元器件，无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 本空白详细