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【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 2CZ105型硅开关整流二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-07-05 02:26:58
- SJ50033.44-1994
- 现行
标准号:
SJ 50033.44-1994
标准名称:
半导体分立器件 2CZ105型硅开关整流二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1994-09-30 -
实施日期:
1994-12-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了2CZ105型硅开关整流二极管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 SJ 50033.44-1994 半导体分立器件 2CZ105型硅开关整流二极管详细规范 SJ50033.44-1994

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
SJ 50033.4494
半导体分立器件
2CZ105型硅开关整流二极管
详细规范
Semicanductor dicrete deviceDetail pecification for type 2cz105ilicon witching rectifier diode1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2Cz105型9e硅开关整流二极管
详细规范
Semiconductor dicrete deviceDetail pecification for type 2Cz105ilicon witching rectifier diode1范围
1.1 主题内容
本规范规定了 2CZ105 型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
SJ 50033.44 -- 94
按CJB33(半导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质最保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4023-86半导体分立件第2部分整流二极管GB657186小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GIB 33-85
半导体分立器件总规范
GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端涂层
中华人民共和国电子工业部
1994.09-30发布
1994-12-01实
TKAONKAca
SJ 50033.44- 94
引出端表面键,对引出端涂层另有要求时,在合尚或订货单中规定(见6.3条)。3.2.2器件结构
器件采用玻璃钝化封装。在芯片两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。3.2.3 外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的12-1UA型及如下的规定。兜图1。府
负极标志
注:1)1,为引线弯曲成直角后器件安装的最小的长度。图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CZ105B
2CZ105C
2CZ105F
2CZ105F
2CZ105G
2CZ105H
2CZ105
2CZ105K
TA=80℃
Ta= 25C
YR= Yaw
Ip= 10m
D2- 10A
55~150
- 55 -175
低气压
SJ 50033.4494
注:1)T>80C时,按7.14mA/C的速率线性踏额。3.3.2主要电特性(Ta=25℃)
2C2105B
2C2105C
2C2105D
1CZ10SE
2CZ105F
2CZ105G
2CZ105H
2G2105
2CZ105K
3.4电测试要求
tp=10m
最大值
V=Vewm
最大值
电测试要求应符合GB4023、GB6571及本规范的规定。3.5标志
Yr= Vewn
TA= 125℃
最大值
IF-50mA
Ve=10V
R,=75n
最大值
标志应符合GIB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志,
具,制造厂的识别;
b。检验批识别代码;
c,型号命名中的2C部分。
3.5.1性标志
器件的负极应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1拖样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验下载标准就来标准下载网
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
TKAONKAca-
筛选(见 GJB33表 2)
3. 热种击
4. 恒定加速度
7. 中间电参数测试
8.电老化
9a.最后测试
4. 4 质量一致性检验
SJ 50033.4494
凝试或试验
除低组为~ 55T外, 其念同试验条件 F。不要求
不要求
Vem和IRt
Ta=25C Ia=0.5A V,= Vrwy f=50H 正弦半波本规表1的A2分组:
AFgl=初值的100%或0.3uA,取较大者;AVpMi= ±0.1V。
质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按 GIB 33 和本规范表2 的规定进行。最后测试和变化量()的要求应按本规范表4的相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按 GIB 33 和本规范表 3 的规定进行。最后测试和变化量(4)的要求应接本规范表4的相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应接本规范相应的表和如下规定:4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施妞规定的正弦半波蜂值电压,接着在正向施如规定的正弦半波平均整流电流,整流电流的正阿导通角应不大于180不小予150°。4.5.2脉冲测试
冲测试条件应按 GJB 12B 的 3,3.2.1 的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1 分组
外规及机械捡验
A2分组
正电压
反向电流
GJB128
GB4032
-1+2·3
TFN = 1.5A
tp=10m
Ve-Yawu
LTPD符
极限值
最小值
最大使
检验或试验
A3分组
高程工作:
反向电流:
低温工作:
正向电压:
A4分组
反珂恢复时间
A6分组
浪涌电施
最后测试
GR 6571
2.1.4.2.3
检验或试验
B1分组
可掉性
标志耐久性
B2 分组
热冲击
最后测试
B分组
稳态工作寿命
最后测试
B6 分组
高温寿命(非工作状态)
最后测试
SJ 50033.44-94
续表 1 A组检验
GB 4032
TA - 125C
Vr - VrwM
Ta=- sst
t,=10m
Vr = 10V
RL=7503
脉冲前浴小于
TA - 25c
Vr = VewM
InS 104
tp=10m
每间隔 1 分年 1
饮浪通,共10抗。
见表4步骤1和2
LTPD符号
表 2 B 组检验
最小值
除低惕为 -55T:外,其众同试验
条件 三- 1.
见表4步骤1和2
Va=Vwy
f =50Hz 正弦半波
见表4步骤1、2和3
TA = 1750
见表4止骤1、2和3
最大值
TTKAONKACa-
检验或检验
CI分组
外形尺寸
C2分组
引出端强度
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械控验
最后测试:
Cs 分组
低气压
试验期间测试
反向电流
C6 分组
稳态工作寿韵
最后测试:
检验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB4024
N-1·4-1
SJ 50033.44-94
表 3 C组检验
GB 128
见图1
试验条件 A
试验条件AF=20N
试验条件E
F= 10N
省略预处理
延表 4 步骤 1 和 2
试脸条件 D
VR= VM
TA = 25c
Vx - VrwM
f - 50H
正弦半波
见表 4 步骤 1,2,和 3
表4A组、B组和C组的电測试
GB 4023
IV-1·2·3
V I·4-1
V-I·4·1
Irm = 1.5A
t,-10m
Va = VwM
Vr - VrwM
注;1)本测试中 Ir1 超过 A 组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
最小位
最大值
极限值
最小值
最大值
初始道的 100%或
0.3μA,取较大者。
包装要求应按 GJB 33 的规定。5.2篮存要求
贮存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GIB 33 的规定。6说明事项
6.1预定用途
SI 50033.44-94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容:a:本规范的名称和编号;
b.等级(见1+3·1);
c.数量;
d。需要时.其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3·2·1)。如使用单位需要时.典型特性曲线可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范白国营八七三广起草。
本规范土要越草人王继红,刘东才、金贵永。计划项目代号:B21019g
YrKAONTKAca
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
SJ 50033.4494
半导体分立器件
2CZ105型硅开关整流二极管
详细规范
Semicanductor dicrete deviceDetail pecification for type 2cz105ilicon witching rectifier diode1994-09-30发布
1994-12-01实施
中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
2Cz105型9e硅开关整流二极管
详细规范
Semiconductor dicrete deviceDetail pecification for type 2Cz105ilicon witching rectifier diode1范围
1.1 主题内容
本规范规定了 2CZ105 型硅整流二极管(以下简称器件)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。1.3.1器件的等极
SJ 50033.44 -- 94
按CJB33(半导体分立器件总规范>1.3条的规定,提供的质最保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示。2引用文件
GB4023-86半导体分立件第2部分整流二极管GB657186小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB7581—87半导体分立器件外形尺寸GIB 33-85
半导体分立器件总规范
GIB128—86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按 GJB 33 和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出端涂层
中华人民共和国电子工业部
1994.09-30发布
1994-12-01实
TKAONKAca
SJ 50033.44- 94
引出端表面键,对引出端涂层另有要求时,在合尚或订货单中规定(见6.3条)。3.2.2器件结构
器件采用玻璃钝化封装。在芯片两面和引出端之间采用高温冶金键合结构。3.2.3 外形尺寸
外形尺寸应符合GB7581的12-1UA型及如下的规定。兜图1。府
负极标志
注:1)1,为引线弯曲成直角后器件安装的最小的长度。图1外形图
3.3最大额定值和主要电特性
3.3.1最大额定值
2CZ105B
2CZ105C
2CZ105F
2CZ105F
2CZ105G
2CZ105H
2CZ105
2CZ105K
TA=80℃
Ta= 25C
YR= Yaw
Ip= 10m
D2- 10A
55~150
- 55 -175
低气压
SJ 50033.4494
注:1)T>80C时,按7.14mA/C的速率线性踏额。3.3.2主要电特性(Ta=25℃)
2C2105B
2C2105C
2C2105D
1CZ10SE
2CZ105F
2CZ105G
2CZ105H
2G2105
2CZ105K
3.4电测试要求
tp=10m
最大值
V=Vewm
最大值
电测试要求应符合GB4023、GB6571及本规范的规定。3.5标志
Yr= Vewn
TA= 125℃
最大值
IF-50mA
Ve=10V
R,=75n
最大值
标志应符合GIB33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志,
具,制造厂的识别;
b。检验批识别代码;
c,型号命名中的2C部分。
3.5.1性标志
器件的负极应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性。4质量保证规定
4.1拖样和检验
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验下载标准就来标准下载网
鉴定检验应按 GJB 33 的规定。4.3筛选(仅对 GT和GCT级)
筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除。
TKAONKAca-
筛选(见 GJB33表 2)
3. 热种击
4. 恒定加速度
7. 中间电参数测试
8.电老化
9a.最后测试
4. 4 质量一致性检验
SJ 50033.4494
凝试或试验
除低组为~ 55T外, 其念同试验条件 F。不要求
不要求
Vem和IRt
Ta=25C Ia=0.5A V,= Vrwy f=50H 正弦半波本规表1的A2分组:
AFgl=初值的100%或0.3uA,取较大者;AVpMi= ±0.1V。
质量一致性检验应按GJB33和本规范的规定。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验
B组检验应按 GIB 33 和本规范表2 的规定进行。最后测试和变化量()的要求应按本规范表4的相应步骤的规定。
4.4.3C组检验
C组检验应按 GIB 33 和本规范表 3 的规定进行。最后测试和变化量(4)的要求应接本规范表4的相应步骤的规定。
4.5检验和试验方法
检验和试验方法应接本规范相应的表和如下规定:4.5.1稳态工作寿命
在器件的反向施妞规定的正弦半波蜂值电压,接着在正向施如规定的正弦半波平均整流电流,整流电流的正阿导通角应不大于180不小予150°。4.5.2脉冲测试
冲测试条件应按 GJB 12B 的 3,3.2.1 的规定。表 1 A组检验
检验或试验
A1 分组
外规及机械捡验
A2分组
正电压
反向电流
GJB128
GB4032
-1+2·3
TFN = 1.5A
tp=10m
Ve-Yawu
LTPD符
极限值
最小值
最大使
检验或试验
A3分组
高程工作:
反向电流:
低温工作:
正向电压:
A4分组
反珂恢复时间
A6分组
浪涌电施
最后测试
GR 6571
2.1.4.2.3
检验或试验
B1分组
可掉性
标志耐久性
B2 分组
热冲击
最后测试
B分组
稳态工作寿命
最后测试
B6 分组
高温寿命(非工作状态)
最后测试
SJ 50033.44-94
续表 1 A组检验
GB 4032
TA - 125C
Vr - VrwM
Ta=- sst
t,=10m
Vr = 10V
RL=7503
脉冲前浴小于
TA - 25c
Vr = VewM
InS 104
tp=10m
每间隔 1 分年 1
饮浪通,共10抗。
见表4步骤1和2
LTPD符号
表 2 B 组检验
最小值
除低惕为 -55T:外,其众同试验
条件 三- 1.
见表4步骤1和2
Va=Vwy
f =50Hz 正弦半波
见表4步骤1、2和3
TA = 1750
见表4止骤1、2和3
最大值
TTKAONKACa-
检验或检验
CI分组
外形尺寸
C2分组
引出端强度
综合温度/湿度
周期试验
外观及机械控验
最后测试:
Cs 分组
低气压
试验期间测试
反向电流
C6 分组
稳态工作寿韵
最后测试:
检验或检验
正向电压
反向电流
反向电流变化
GB4024
N-1·4-1
SJ 50033.44-94
表 3 C组检验
GB 128
见图1
试验条件 A
试验条件AF=20N
试验条件E
F= 10N
省略预处理
延表 4 步骤 1 和 2
试脸条件 D
VR= VM
TA = 25c
Vx - VrwM
f - 50H
正弦半波
见表 4 步骤 1,2,和 3
表4A组、B组和C组的电測试
GB 4023
IV-1·2·3
V I·4-1
V-I·4·1
Irm = 1.5A
t,-10m
Va = VwM
Vr - VrwM
注;1)本测试中 Ir1 超过 A 组极限值的器件不应接收。5交货准备
5.1包装要求
最小位
最大值
极限值
最小值
最大值
初始道的 100%或
0.3μA,取较大者。
包装要求应按 GJB 33 的规定。5.2篮存要求
贮存要求应按GJB 33的规定。
5.3运输要求
运输要求应按 GIB 33 的规定。6说明事项
6.1预定用途
SI 50033.44-94
符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2订货资料
合同或订货单应规定下列内容:a:本规范的名称和编号;
b.等级(见1+3·1);
c.数量;
d。需要时.其它要求。
6.3对引出端涂层有特殊要求时,应在合同或订货单中规定(见3·2·1)。如使用单位需要时.典型特性曲线可在合同或订货单中规定。附加说明:
本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范白国营八七三广起草。
本规范土要越草人王继红,刘东才、金贵永。计划项目代号:B21019g
YrKAONTKAca
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