【电子行业标准(SJ)】 ＣＳ４０型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管

中华人民共和国电子工业部部标准CS4O型N沟道结型场效应
小功率半导体开关三极管
SJ2097-82
1本标准适用于CS40型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管，该产品主要用于电子设备的开关电路中
2该产品除应符合本标准的规定外，还应符合SJ614一73《半导体三极管总技术条件》的规定，3产品的外形结构和尺寸应符合SJ139一81《半导体三极管外形尺寸》中的S-2型的规定。引出线排列顺序为 S、D、G。
4技术要求和试验方法
4.1产品的电参数应符合参数规范表的规定。电参数的测试方法应符合SJ1949~1973—81《场效应半导体管测试方法》及SJ2092一82《CS35型N沟道结型场效应小功率半导体开关三极管》附录A的规定。4.2各项环境试验后，按顺序测试下列电参数：漏源通态电阻rDs（n）：
截止漏电流ID(ot+)：
栅源截止电压Vcs(ot);
截止栅电流Icss;
栅源击穿电压V（BR）GSS。
测试结果：rps(on)、Ip(o11)、VGs(o1)的相对变化均不得超过±30%，Iass、V(a2)Gss应符合规范值。
4.3短期寿命试验条件
电压：Vcs=-10V,VDs0：
b.温度：125℃；
C.时间：240小时。
4.4高温贮存试验条件
温度：125℃。
4.5短期寿命试验和高温贮存试验后考核标准为：rDs(。,)、Ip(。1\)、Vcs（。1)的相对变化均不得超过±30%为合格。
4.6本标准参数规范的仲裁条件为：环境温度：25±1C
b相对湿度：48%~52%；
c.气压：860~1060mbar.
5各生产单位应在产品说明书中提供下列特性曲线：a. rps(e.)-
b.rps(on)
-,曲线：
-T。曲线：
一T。曲线：
d. Vescotr)
-T。曲线：
e.I,—Vps曲线
6各生产单位应在产品说明书中提供本单位工艺筛选的项目和条件，中华人民共和国电子工业部1982-05-15发布1
1982-12-01实施
SJ2097—82
AOT-=(+1O)SOA
0=(O)S0A A0I=SAA
101500-50
AOT=saAwwW.bzxz.Net
AO1-=SSA
Vulsan
AOT=SOA
SsD(a）A
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