【国家标准(GB)】 蓝宝石单晶抛光衬底片

中华人民共和国国家标准
蓝宝石单晶抛光衬底片
Polished monocrystalline sapphire substrates主题内容与适用范围
GB/T 13843- 92
本标准规定了生长硅的高纯蓝宝石单晶施光衬底片的技术要求、测试方法、检验规则。本标准适用于制备半导体器件的生长硅的高纯蓝宝右单晶抛光衬底片。2引用标准
GB/T1556驻单晶晶尚X衍射测量方法GB6618硅片厚度和总序度变化的测试方法GB 6619
GB6621
GB 6624
GB 1031
硅片弯曲度的接触式测试方法
硅抛光片表面乎整度的非接触式测试方法硅单晶抛光片表面质量日测检验方法表面粗糙度参数及其数值
逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB 2828
硅片上的缺阶.沾污观察标准和规程术语，硅品体完整性见附录A。3技术要求
3.1化学组成为高纯的α-A120总杂质含量应小于1×10-t。3.2结品完整性在所有直径范固内都是单品结构，位错应等于或小于105个/cm。3.3制备衬底所使用的蔬宝石单晶的生长方法采用直拉法(CZ)。3.4表面取向在所有径范用内均为<1T02)上2%3.5参考面
3.5.1主参考面取向轴在（1i2)面上的投影顺时针旋转45°士2（见图1)。3.5-2次参考面取向C轴在（1102)面上的投影逆时针旋转45\土2\（见图1)。国家技术监督局1992-12-28批准1993-08-01实施
3.5.3参号面长度应符合表1要求村底直径
GB/T 13843--92
沃零号由
轴（影）
上餐号面
地光面朝上
图1主、次参考面取问图
主参考面长度
13~-19
(6.50~0.75)
13--19
(0. 50--0. 73)
(0.50--t-75)
0. 75 -- 1. 0)
3.6外形尺寸及偏差应符合表2要求。直
中心点厚度
弯弗度
总淳度变化
38-10—0.25
(1. 5+(. 01)
0.33-0.05
(0, 013-0. 002)
表面平整度规格应符台丧“要求。表2
50.80±0.25
2.0+0.01)
57.15±u.25
(2.25±G.G1)
0. 41 +: . 65
(0. 016 L.02)
mm(in)
次孝考长度
6. 35~ 6. 95
(10.23~0.38)
6. 35-~9. 65
(0- 23~-0- 38)
6. 35~9. 65
((- 25 - 0. 38)
9. 6~12. 70
(0.38~0.50)
mm(in)
75. 20±(1.25
(3.0±0.01)
0. 43+0. 05
(0.017+0.002)
GB/T13843
3.8表面粗髓度在所有直径范围应小j:0.01μm表面缺陷的最大允许值应符合表4要求39
背面粗度在所有直径范旧均为0.81μm。背面不允许有裂纹和沾污，崩边的限度同表面最
25（最人）
14（最人）
1（最大）
8(最大)
6（最大）
总长度为R/2
弦长为8mm 以上的,无
弦长为0.38～3mm的，3个
弦长为 0. 38mm以下的.不计
50.8mm(2in)村底4个
$76. 2mm(3in)衬底 9个
硅片上的缺陷.活污观案标准和规程术语，硅晶体完整性的标推见附录A（补充件）注参考商取间示意图参见附录1(补充件)。常选用的测量位置参见附录C（参考作)。表面质量示意图参见附录D（参考件）。蓝宝石结晶学图参见附录上（参号件）。特殊技术要求出供需双方商定。测试方法
4. 1 儿何尺于用精度为 0. 001mm 的量具测量。4.2 鼎向参照GB/T 1556 进行测定。4. 3参考面取问按附录 H 进行测定。4.4弯度按CB6619进行测定
5厚度利总厚度变化按GB6618进行测定。4.5bzxz.net
5平整度按GB6621进行测定。
4.7表面缺陷按GB6624进行测定：GB/T 13843—92
4.8表所和背面粗糙度按GB1031进行测定4.9总杂质含量采用火花源质谱法进行测定。4.10站站完整性参照附录A（补充件)进行测定。5检验项目和检验规则
5.1检验项目
5.1.1木标摊技术要求中第3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、3.10,3.11为必测项日。5.1.2本标准技术要求中第3.1、3.2、3.3为保证项目。5.2检验规叫
5.2.1产品应由供货方质虽检验部门按本标准进行检验，并附有检验合格证。52.2使用方在收到产品时，应按本标准规定进行验收，如发现产品不符合本标准时，在到贷之日起三个Ⅱ内向供货提出。
5.2.3产品的交收试验应按GB2828采用一次抽样方案进行抽样，检查水平为，合格质量水平AQL22.5.
6标志，包装、运输、购存
61产品出厂必须附有合格证，合格证上应注明：a.
制选厂家；
产品名称、牌号与编号：
各项必测技术指标；
检验员鉴章及检齊日期。
6.2产品包装应兵有防擦伤、防沾污、防碎裂措施，包装盒附有标签并标明，产眉名称：
产品编号：
出厂且期；
d.制造单位。
6.3产品运输过中不能同酸、碱等腐蚀性物质混装。6-4产品应保疗在无腐蚀气氛的清洁仓库内。GB/T13843-92
附录4
硅片上的缺陷、沾污观察标准和规程术语、硅品体完整性的标准（补充件）
ASTMF154鉴别镜面硅片上观察到的缺陷和沾污标准规稀和术语。ASTMF47*用择优腐蚀技术检测硅晶体究整性的标准方法。对于蓝完行单晶抛光衬底片，需在300TKOH落液中腐蚀12min后在75X金相显微错下观案，其位错图形如图A1：
注：文本按SEMI际准第三卷《材料>，泽文由中国标准出版社H版。附录B
主数考面取向示意图
(补充件）
封埃达线
C(U)面法线
C\轴投影
除考面法载
GE/T 13843-92
附录C
常选用的测量位置
(参考件）
GB/T13843—92
表面质量示意图
（参考件）
图D1是合格表函；D2·~3是有缺陷表面；图D4是不合格表面注：蓝宝么单晶光讨底片在31nt:KOH溶液中腐饱1～3tnin后使用Vamarsli干涉相衬显微镜在70x（倍）下进观察测定表面质册。
附录E
蓝宝石结晶学图
(参考件）
结构指数
矿物学符号
附加说明：
GB/T13843—92
本标准由中华人民共和国机械电子工业部挺出。本标唯由天津半导体技术研究所负责起草。本标灌王要起草人孙家龙、陈题、张玲、紫玉琦。1120
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