【国家标准(GB)】 晶闸管测试方法 逆导三极晶闸管

中华人民共和国国家标准
晶闸管测试方法
逆导三极晶闸管
Measuring methods for tbyristorReverse conducting triode thyristor主题内容与适用范围
GB/T15292—94
本标准规定了逆导二极晶闻管的换向电压临界上升率和关断时间的测试方法。逆导三极晶闸管一般电热特性和额定值的测试方法及要求应符合有关标准的规定，本标准适用于逆导三极晶管的测试。2引用标准
GB/T15291半导体器件第6部分晶闸管3换向电压临界上升率(dV/dt)c
3.1目的
检验逆导晶闸管在不失控的情况下能承受的换向电压临界上升率。3.2电路图
直流电源
3.3电路说明和要求
图1换向电压临界上升率测试电路—-受试逆寻晶闸管：
C1、L——决定正弦电流脉冲持续时间及幅值的谐振电路：R、C，改变电压上升率的吸收电路。对器件通以正向电流，接着通反向电流，在向正向换流的时刻施加再加电压，固定反向电流下降率，测量该器件对再加电压上升率承受的能力。3.4测量程序
国家技术监督局1994-12-07批准1995-10-01实施
GB/T 15292
当直流电源向电容C，充电后，触发受试逆导晶闸管，电容上贮存的电荷通过电感I.向受试逆导品闸管放电，产生振荡电流如图2所示。当振荡周期结束后，不给受试逆导晶闸管门极触发信号，逆导晶闸管的品闸管区处于阳断状态，逆导品闸管承受再加电压V。用改变，的充电电压来调整谐振电流幅值，并政变回路参数C,和1.的人小,使振荡脉宽改变，即改变了反向电流下降率一z/dt。在一定的反向电流下降率di/dt，改变R和C的大小，以改变电压上升率dV/dt，测出逆导晶闸管在不失控的情况下的换向电压临界上升率(dV/dt)cd
图2换流特性波形
3.5规定条件
最高工作结温：Tia
通态峰值电流F=31AV)，
再加断态电压Vu=0.5VDRM;
d。 反间电流下降率一般应选取为 10 A/μs、15 A/s、20 A/μs,如这些值不能满足要求时,可选取大于 20 A/μss
4关断时间(t)
4.1百的
在规定条件下测基逆导晶阐管的关断时间。4.2电路图
正向充电电缆
州加光电电源
图3关断时间测试电路
反向光电电源Www.bzxZ.net
4.3电路说明和要求
受试逆导晶闸管，
GB/T 15292—94
决定正向电流脉冲持续时间及幅值的振荡电路的电容器与电感器；提供反向电流的电容器：
产生再加电压的振荡电路的电容器与电感器，隔离再加电压的二极管：
再加电压通路的二极管；
防止C.反向充电的二极管；
作为反向电流开关的晶阑管；
作为再加电压开关的晶闸管；
改变再加电压上升率的吸收电路的电阻器与电容器；施加再加电压后，当受试器件导通时的限流电阻器；反向电流的限流电阻器；
电流取样用电阻器。
缩小正向电流过零到再加电压的时间，直至再加电压下跌，出现正向重新导通为止，测出此时从正向电流过零到再加电压建立的最小时闻，即关断时间。4.4测量程序
触发受试逆导晶闸管，C，经LD,向受试逆导晶闸管放电，产生正弦波正向电流，如图4所示。在电流过零的瞬间，触发TC，经受试逆导晶闸管、T，和R，放电形成反向电流，由十C.容量足够大并有R.限流，使反向电流保持在规定的恒定值，经时间t后触发T2。C经Lz、T，、R2、D.和受试逆导晶阐管放电，关断反向电流，并施予再加电压，确认受试逆导晶阑管为断态，然后缩短时间1，当受试逆导晶闸管刚好能承受规定的再加电压而不转为通态时，从正向电流过零到承受再加电压的最短时间间隔，即为所测关断时间。
再加V
图4关断时问测试波形
4.5规定条件
a.最高工作结温：T品：
GB/T 15292-94
b.正向电流脉宽：50us或100us
C：通态峰值电流I=3Trav)
d.。反向电流幅值为反向平均电流的3倍，反向电流下降率-di/dz一般应选为5A/s7.5A/M、10A/us,如这值不能满要求时，可大于10A/use.再加电压上升率dV/dt=0.5(dV/ar)c强
本标准由中华人民共和国机械工业部提出本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口，本标准由机械工业部西安电力电子技术研究所负责费起草。本标准主要起草人时检新、黄家校。
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