本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。

本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。 本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。 本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。

本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构，并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm～100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm～150 μm、深宽比为0.006 7～20。棱锥式针结构具有三个或四个面，其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大，并且外轮廓尺寸可包含于边

本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位试验的要求和试验方法。 本文件适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试。

本文件规定了陀螺仪的术语和定义、额定值、性能参数及测量方法。 陀螺仪主要用于消费电子、工业和航空航天等。陀螺仪广泛采用MEMS和半导体激光器技术。