本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单晶单面抛光片表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。 GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T6624-1995

本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面平整度。 GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T6621-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为150～1000μm的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。 GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6620-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm，厚度为200～1000μm的圆形硅片的弯曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。 GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 GB/T6619-1995

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法。本标准主要用于符合国标GB 12964、GB 12965规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。 GB/T 6618-1995

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3~102Ω·cm。 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T6617-1995

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T6616-199

本标准适用于室温至1500℃范围内，使用差热分析(DTA)方法测定自熔合金粉末固—液相线温度区间。 GB/T 6526-1986 自熔合金粉末固-液相线温度区间的测定方法 GB/T6526-1986

本标准规定了烧结金属材料室温压缩强度的测定方法。本标准适用于测定机加工或非机加工的烧结金属材料(硬质合金除外)的压缩强度(屈服点、屈服强度和抗压强度)。 GB/T 6525-1986 烧结金属材料室温压缩强度的测定 GB/T6525-1986

本标准规定了金属粉末在悬浮液中由于重力作用沉降时，通过测量光束穿过悬浮液时的衰减量来计算颗粒粒度分布的方法。本方法适用于满足斯托克斯方法的情况，即雷诺数小于0.25的层流条件，同时颗粒沉降速度不受布朗运动影响。本方法适用于全部颗粒粒径在1μm～100μm之间的金属粉末包装硬质合金用粉末。 GB/T