本标准规定了碲化镉的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和安全提示。 本标准对应的碲化镉是以5N碲和5N镉为原料以高温合成技术制成的，该产品主要用于红外以及可见光的发光装置材料等。 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色

本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片（主要包括100mm、125mm、150mm和200mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片）经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T13389-2014

GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T29057-2012

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T14847-2010

GB/T 25076-2010 太阳电池用硅单晶 GB/T25076-2010

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。 GB/T 6621-2

GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T24582-2009