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【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 3DK37型功率开关晶体管详细规范

本网站 发布时间: 2024-07-05 06:34:51
  • SJ20170-1992
  • 现行

基本信息

  • 标准号:

    SJ 20170-1992

  • 标准名称:

    半导体分立器件 3DK37型功率开关晶体管详细规范

  • 标准类别:

    电子行业标准(SJ)

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    1992-11-19
  • 实施日期:

    1993-05-01
  • 出版语种:

    简体中文
  • 下载格式:

    .rar.pdf
  • 下载大小:

    258.23 KB

标准分类号

  • 中标分类号:

    矿业>>矿业综合>>D01技术管理

关联标准

出版信息

  • 出版社:

    电子工业出版社
  • 页数:

    9页
  • 标准价格:

    14.0 元
  • 出版日期:

    1993-04-01

其他信息

  • 起草人:

    蔡仁明、杨子江、张永安、刘东才
  • 起草单位:

    中国电子技术标准化研究所
  • 归口单位:

    中国电子技术标准化研究所
  • 提出单位:

    中国电子工业总公司科技质量局
  • 发布部门:

    中国电子工业总公司
  • 相关标签:

    半导体 分立 器件 功率 开关 晶体管 详细 规范
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标准简介:

标准下载解压密码:www.bzxz.net

本规范规定了3DK37B~H型功率开关晶体管的详细要求。每秒器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20170-1992 半导体分立器件 3DK37型功率开关晶体管详细规范 SJ20170-1992

标准内容标准内容

部分标准内容:

1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件
3DK37型功率开关晶体管
详细规范
Semiconductor discretedeviceSJ20170—92
Detailspecificationfortype3DK37powerswitchingtransistor1.1主题内容
本规范规定了3DK37B~H型功率开关晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。1.2外形尺寸
外形尺寸按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的B2-01C型及如下的规定(见图1)。mm
中国电子工业总公司1992-11-19发布符号
B2-01C
1993-05-01实施
1.3最大额定值
3DK37B
3DK37C
3DK37D
3DK37E
3DK37F
3DK37G
3DK37H
T=25℃
SJ20170—92
注:1)T>25℃时,按500mW/℃的速率线性地降额。1.4
主要电特性(TA=25℃)
3DK37B~H
40~160
引用文件
Veetat
VBe(at)
GB4587-84双极型晶体管测试方法GB7581—87
GJB33—85
Ig-1s-0.3A
半导体分立器件外形尺寸
半导体分立器件总规范
GJB128-86半导体分立器件试验方法3要求
3.1详细要求
各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸
器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1引出线材料和涂层
VcB=10V
f=1MHz
-55~175
Veg=10V
引出线材料应为可伐。引出线表面应为锡层或镍层。对引出线涂层有选择要求时,在合同或订货单中应予规定。
3.3标志
器件的标志应按GJB33的规定
4质量保证规定
4.1抽样和检验
SJ20170-92
抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2鉴定检验
鉴定检验应按GJB33的规定。
4.3筛选(仅对GT和GCT级)
器件的筛选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1规定极限值的器件应予剔除。筛
(见GJB33的表2)
7.中间电参数测试
8.功率老化
9.最后测试
4.3.1功率老化条件
功率老化条件如下:
T=162.5±12.5℃
Vce-20V
Prot=30W
4.4质量致性检验
TenO:和hPEi
按本规范表1的A2分组;
AIcB01≤初始值的100%或100μA,取较大者,AhFE≤初始值的士20%
质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1A组检验
A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2B组检验
B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。4.4.3C组检验
C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。4.5检验方法
检验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5.1脉冲测试
脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2热阻
热阻测试应按GB4587的2.10和下列规定。a.
加功率时的Ic=1A;
VcE=10V;
基准温度测试点应为管壳;
SJ20170-92
d.基准点温度范围为25℃≤T。<75℃。实际温度应记录;安装应带散热器;
f.R(h)-的最大极限值应为2.0℃/W。4.5.3C组寿命试验
C组寿命试验应按GJB33和本规范的规定进行。4.5.4恒定加速度
恒定加速度试验应按GJB33和本规范的规定进行。表 1A组检验
GB4587
检验或试验
A1分组
外观及机械检验
A2分组
集电极一发射极击穿电压
3DK37B
3DK37C
3DK37D
3DK37E
3DK37F
3DK37G
3DK37H
发射极一基极击穿电压
集电极一基极截止电流
集电极一发射极截止电流
集电极一发射极饱和电压
基极一发射极饱和电压
正向电流传输比
A3分组
高温工作:
集电极一基极截止电流
GJB128
本规范
附录A
发射极一基极开路;
le=5mA
集电极一基极开路;
Ig=10mA
发射极一基极开路;
Vcn-Veao
发射极一基极开路;
VeVceo
T=125±5℃
发射极一基极开路;
Vca=0.7Vcao
VBRCEO
V(BR)ERO
VcE(nat)
极限值
检验或试验
低温工作:
正向电流传输比
A4分组
输出电容
脉冲响应:
导通时间
贮存时间
下降时间
A5分组
安全工作区(直流)
试验1
试验2
3DK37B~F
3DK37G~H
试验3
3DK37B
3DK37C
3DK37D
3DK37E
3DK37F
3DK37G
3DK37H
最后测试:bzxZ.net
SJ20170-92
续表1
GB4587
TA--55C
Veg-3V
脉冲法(见4.5.1)
VcB=-10V
f=1MHz
Ig=—12=0.3A
Te25℃
=1s,单次
Vee=10V
Vce15V
Vee=20V
Ver=50V
fe--380mA
Vce=80V
Ic=140mA
Veg-110V
Ic=72mA
Vee=150V
le37mA
Ve-200V
Ie=20mA
Vex=80V
le=200mA
Vee130V
le=72mA
见表4步骤1和3
极限值
B1分组
可焊性
检验或试验
标志耐久性
B2分组
热冲击(温度循环)
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试:
B3分组
稳态工作寿命
最后测试:
B4分组
(仅对GCT级)
开帽内部目检
(设计核实)
键合强度
B6分组
高温寿命
(非工作状态)
最后测试,
检验或试验
C1分组
外形尺寸
C2分组
热冲击(玻璃应力)
引出端强度
a.细检漏
b.粗检漏
抗潮湿
外观及机械检验
最后测试:
C3分组
变频振动
SJ20170—92
表2B组检验
GJB128
低温一55℃,其余为试验条件
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
T,-162.5±12.5℃
Vce=20V
Peo-30W
见表4步骤2和4
试验条件A
TA=175℃
见表4步2和4
表 3C组检验
GJB128
见图1
试验条件B
试验条件A
试验条件H
试验条件F
见表4步骤1和3
按总规范
按总规范
每批1个器件,
0失效
20(C=0)
极限值
最小值
最大值
检验或试验
恒定加速度
最后测试:
C4分组
盐气(侵蚀)
(仅对海用)
外观及机械检验
C6分组
稳态工作寿命
最后测试:
C8分组
GB4587
SJ20170—92
续表3
GJB128
按总规范
见表4步骤1和3
T=162.5±12.5℃
Veg=20V
见表4步骤2和4
Veg10V
入=10
表4A组、B组和C组最后测试
GB4587
集电极一基极截止电流
集电极一基极截止电流
正向电流传输比
正向电流传输比
发射极一基极开路,
VcBVcBO
发射极一基极开路;
VeBVcBo
Vee-3V
注:1)本测试超过A组极限值的器件不应接收。5包装要求
包装要求应按GJB33的规定。
6说明事项
Reahre
6.1合同或订货单可规定所要求的引出线材料和涂层(见3.2.1)。6.2如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。6.3直流安全工作区见图2a和图2b。极限值
最小值
最大值
极限值
最小值
最大值
初始值
的±25%
SJ20170—92
Te-25c
3DK37B-
3DK37C-
3DK37D
3DK37E
3DK37F
5080110150200
集电极一发射极电压Va(V)
3DK37BF的真流安全工作区
3DK37G
3DK37H
集电极一发射极电压Vce(V)
3DK37G~H的直流安全工作区
A1:目的
SJ20170—92
附录A
集电极一发射极击穿电压测试方法(补充件)
本测试的目的是为了在规定的条件下,确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限。A2测试电路
电压源
注:在测试电流时,电流表的接头之间实际上可看成短路,或对电压表读数作因电流表压降的校正。图A1集电极一发射极击穿电压测试电路A3测试步骤
限流电阻R,应足够大,以避免过度的电流流过晶体管和电流表。施加规定的偏置条件,增加电压直到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于VBR>CEe的最低极限,晶体管为合格本测试方法企图表现晶体管的负阻击穿特性,在这种情况下,必须使晶体管的集电极电流及结温保持在安全值以内。
A4规定条件
环境温度TA
测试电流Ic。
附加说明:
本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:蔡仁明、杨子江、张永安、刘东才。计划项目代号:89082。
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