- 您的位置:
- 标准下载网 >>
- 标准分类 >>
- 电子行业标准(SJ) >>
- SJ 2365-1983 3CD167、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管

【电子行业标准(SJ)】 3CD167、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管
本网站 发布时间:
2024-07-13 19:06:49
- SJ2365-1983
- 现行
标准号:
SJ 2365-1983
标准名称:
3CD167、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行-
发布日期:
1983-08-19 -
实施日期:
1984-03-01 出版语种:
简体中文下载格式:
.rar.pdf下载大小:
234.59 KB

部分标准内容:
中华人民共和国电子工业部部标准3CD167型、3CD367型
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2365—83
1本标准适用于耗散功率为200W的3CD167型、3CD367型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管(以下简称三极管)。三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的电参数符号般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定,并补充如下符号:VcEO(sus)——集电极一发射极(基极开路时)的维持电压;VcER(sus)
一集电极一发射极(基极一发射极接电阻时)的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测量方法应符合SJ300~314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外,均以管壳温度Tc为25℃时为准。5例行试验抽样方法按SJ614一73《半导体三极管总技术条件》第17条规定。6环境试验后,三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准13.1条的规定。其中VcBO、VCEO不许降档,电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行全部项目。双倍试验后,不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。8功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。功率试验和高温贮存试验后,三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求,其中VCBO、VCEO不许降档,反向电流IcEo不超过规范值的2倍;饱和压降VcFisat)不超过规范值的1.2倍;电流放大系数hFE的相对变化不超过±35%。
9功率试验后,全部三极管都符合第8章的规定,则为合格。名有1只三极管不符合该章规定,则将试验时间延长到240小时。240小时试验后,不符合第8章规定的三极管数量累计不超过1只为合格。不合格时,应进行双倍试验,双倍试验120小时后,全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只三极管不符合该章规定,则将试验延长到240小时,不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格,否则双倍试验为不合格。
10高温贮存试验后,不符合第8章规定的三极管不超过1只,则为合格。君有2只三极管不符合第8章规定,则将试验延长到240小时,240小时后,不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。不合格时,应进行双倍试验。双倍试验120小时后,不符合第8章规定的三极管不超过1只为合格。11双倍试验不合格时,按SJ61473《半导体三极管总技术条件》第23条规定执行。12生产单位在产品目录(或说明书)中提供以下特性曲线:a.安全工作区(包括直流、脉冲宽度tw为ls、100ms、10ms、1ms等)曲线:b.热循环特性曲线:
c.PcM—Tc的关系曲线,
hFE—Tc的关系曲线(Tc为-55、25、100℃时);d.h
IB一VBE的关系曲线;
Tc—VcE的关系曲线(Tc为25℃时);f.
中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
Ic一VBE的关系曲线。
SJ2365-83
133CD167型、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。13.1三极管的最大极限值见表1。表1
Pc(Tc=25℃)
150(金属封装),125(塑料封装)-55~+150(金属封装),
注:IcM为hFE=5时的集电极直流电流。13.2三极管的电特性见表2。
-40~+125(塑料封装)
计量单位
(Tc=100℃)
Vegocmn
Vegwseo
R=50Q)
(Tc=-55)
VeEcam
(fe=1MHz)
fo1s或直流
Ran元e(金属封装)
试验条件
测试条件
VcE=0.9VcEO
Te=75℃(金属封装)
15~30,
25~50,
4080,70~140
VcE=-10V
Ic=-12Abzxz.net
Vce-20V
120-240,
Te=-6A
注:①B档以上的器件第一个剩试点的Ve选在Pen线与Ps/B线的交点处,Vee×Is/B>Pem②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcEO,此点不应发生二次击穿。3
3CD167
铜底座、
3CD367
F-2型
铁底座、
2365-83
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
PNP硅低压低频大功率三极管
SJ2365—83
1本标准适用于耗散功率为200W的3CD167型、3CD367型PNP硅三重扩散、外延基区、单扩散等工艺的低压低频大功率三极管(以下简称三极管)。三极管除应符合本标准规定外,还应符合SJ614-73《半导体三极管总技术条件》的规定。2本标准采用的电参数符号般符合SJ1400一78《半导体器件参数符号》的规定,并补充如下符号:VcEO(sus)——集电极一发射极(基极开路时)的维持电压;VcER(sus)
一集电极一发射极(基极一发射极接电阻时)的维持电压。3三极管的外形结构和尺寸应符合SJ139一78《半导体三极管外形尺寸》的规定。4三极管的参数应符合本标准13.1和13.2条的要求。其测量方法应符合SJ300~314一72《半导体三极管测试方法》的规定。本标准参数规范表中的电参数除注明外,均以管壳温度Tc为25℃时为准。5例行试验抽样方法按SJ614一73《半导体三极管总技术条件》第17条规定。6环境试验后,三极管的集电极一基极电压VcBO、集电极一发射极电压VcEO、发射极一基极电压VEBO应符合本标准13.1条的规定。其中VcBO、VCEO不许降档,电流放大系数hFE的相对变化应不超过±35%。
7环境试验后不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。不合格时应进行双倍试验。双倍试验应进行全部项目。双倍试验后,不符合第6章规定的三极管不超过1只为合格。8功率试验和高温贮存试验的试验时间均为120小时。功率试验和高温贮存试验后,三极管应符合本标准13.1和13.2条的规定。集电极一基极电压VcB0、集电极一发射极电压VCEO、发射极一基极电压VEBO应符合要求,其中VCBO、VCEO不许降档,反向电流IcEo不超过规范值的2倍;饱和压降VcFisat)不超过规范值的1.2倍;电流放大系数hFE的相对变化不超过±35%。
9功率试验后,全部三极管都符合第8章的规定,则为合格。名有1只三极管不符合该章规定,则将试验时间延长到240小时。240小时试验后,不符合第8章规定的三极管数量累计不超过1只为合格。不合格时,应进行双倍试验,双倍试验120小时后,全部三极管符合第8章规定则为合格。若有1只三极管不符合该章规定,则将试验延长到240小时,不符合第8章规定的三极管累计不超过1只为合格,否则双倍试验为不合格。
10高温贮存试验后,不符合第8章规定的三极管不超过1只,则为合格。君有2只三极管不符合第8章规定,则将试验延长到240小时,240小时后,不符合该章规定的三极管累计不超过2只为合格。不合格时,应进行双倍试验。双倍试验120小时后,不符合第8章规定的三极管不超过1只为合格。11双倍试验不合格时,按SJ61473《半导体三极管总技术条件》第23条规定执行。12生产单位在产品目录(或说明书)中提供以下特性曲线:a.安全工作区(包括直流、脉冲宽度tw为ls、100ms、10ms、1ms等)曲线:b.热循环特性曲线:
c.PcM—Tc的关系曲线,
hFE—Tc的关系曲线(Tc为-55、25、100℃时);d.h
IB一VBE的关系曲线;
Tc—VcE的关系曲线(Tc为25℃时);f.
中华人民共和国电子工业部1983-08-19发布1
1984-03-01实施
Ic一VBE的关系曲线。
SJ2365-83
133CD167型、3CD367型PNP硅低压低频大功率三极管参数规范见表1、表2。13.1三极管的最大极限值见表1。表1
Pc(Tc=25℃)
150(金属封装),125(塑料封装)-55~+150(金属封装),
注:IcM为hFE=5时的集电极直流电流。13.2三极管的电特性见表2。
-40~+125(塑料封装)
计量单位
(Tc=100℃)
Vegocmn
Vegwseo
R=50Q)
(Tc=-55)
VeEcam
(fe=1MHz)
fo1s或直流
Ran元e(金属封装)
试验条件
测试条件
VcE=0.9VcEO
Te=75℃(金属封装)
15~30,
25~50,
4080,70~140
VcE=-10V
Ic=-12Abzxz.net
Vce-20V
120-240,
Te=-6A
注:①B档以上的器件第一个剩试点的Ve选在Pen线与Ps/B线的交点处,Vee×Is/B>Pem②B档以上的器件第二个测试点的VcE>0.9VcEO,此点不应发生二次击穿。3
3CD167
铜底座、
3CD367
F-2型
铁底座、
2365-83
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。

标准图片预览:



- 热门标准
- 电子行业标准(SJ)
- SJ1470-1979 3CG102型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ3067.2-1988 冲裁模通用模架 侧面导板
- SJ3085-1988 冲裁模通用模架 导板
- SJ50681.65-1994 TNC系列(接半硬电缆)插孔接触件法兰安装2级射频同轴插座连接器详细规范
- SJ20580-1996 通信系统电性能测量方法
- SJ/T11277-2002 防静电周转容器通用规范
- SJ2335-1983 专用电话设备型号命名方法
- SJ3093-1988 冷冲模 倒装复合薄凹模典型结构
- SJ20682-1998 Lx波段固态脉冲功率模块通用规范
- SJ20796-2001 地面警戒引导雷达天线驱动控制器通用规范
- SJ/T10178-1991 隔振器特性测试方法
- SJ1158-1977 MF11型普通用负温度系数热敏电阻器
- SJ1240-1977 CB81型高压聚苯乙烯电容器
- SJ1471-1979 3CG103型PNP硅外延平面高频小功率三极管
- SJ/T9535-1993 扭曲向列型液晶显示器件质量分等标准
- 行业新闻
- 阿联酋航空和迪拜免税店将接受莱特币支付
- 加密货币是世界上最具竞争力的运动:比特币OG达芬奇
- BTCC 扩展通证化合约产品版图强化多元资产交易与进阶分析功能
- Bitget 启动KCGI 2025 全球交易竞赛
- 今日最佳加密货币预售实时更新:比特币突破11.8万美元历史新高期间即将爆发的五大预售项目,更多Solana国库计划公布,以及其他重磅消息...
- Ripple阐释RLUSD如何重塑全球资金流动
- CoinW启动“东亚杯足球挑战赛” 50万USDT奖池打造体育与加密融合新体验
- PEPE突破1300关口,多头放量推高价格
- 事实核查:汤姆·李说过"XRP可能在90天内创造百万富翁"吗?
- VET崛起:分形模式与加密货币趋势
- 胖企鹅飙升86%,MANA和AXS大涨:本周加密货币涨幅榜
- 亚瑟·海斯预示"山寨币狂欢季"即将开启,市场转向牛市
- 今天加密货币为什么上涨?
- 在错过之前将BTC兑换为XRP的最后机会:专家警告
- 美国以太坊ETF迎来自SEC批准以来的最佳月份
请牢记:“bzxz.net”即是“标准下载”四个汉字汉语拼音首字母与国际顶级域名“.net”的组合。 ©2009 标准下载网 www.bzxz.net 本站邮件:bzxznet@163.com
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1
网站备案号:湘ICP备2023016450号-1