【国家标准(GB)】 半导体集成电路外壳空白详细规范

中华人民共和国国家标准
半导体集成电路
外壳空白详细规范
Blank detail specificatian of packages forSemiconductor integrated circuitsUDC 621. 3. 049. 774-758
GB 11493—89
木规范规定了编制半导体集成电路外壳(以下简称外壳)详细规范的基本原则本规范是与国家标准GB6649≤半导体集成电路外壳总规范》有关的空白详细规范。要求的资料
下列)～适项要求的内容与后面表中各栏要求的资料相对应，编制详细规范时应填写在相应的栏详细规范的识别
①发布详细规范的国家标准化构名称。②空白详细规范的国家编号。
总规范编号
）详细规范的国家编号、发布日期及国家标准休系要求的资料。外壳的识别
外壳类型，
典型结构和应用资料。
如果设计的外壳是多用途的(如带散热器),应在细规范中说明。丰要材料的规格、型号、规范值和检验要求应在详细规范中注明。封益(辑)方法应在详细规范中说明）外壳结构图，零件图利(或)与外形结构有关的参考文件。图质量评定类则。
能在各类外壳之间进行比较的最再要的性能参考数据。本规范中，方括号所列内容仅供指导箍制详细规范用，而不将原文写进详细规范中。［本规范中，“×”表示当特性或额定值适用时.应在详细规范中填写的值，中华人民共和国机械电子工业部1989-03-21批准1990-03-01实施
GB 11493—89
[国家代表机构(NAI)或者可提供规范的困体名称]()评定外尧质量的依据：
GB6649&半导体集成电路外壳总规范》[外壳类型、名称〗详细规范
订货资料，见本标准第7章
机械说明
外形依据：
GB7092半导体集成电路外形尺寸》结构图.零件图；
[可在本规范第 4章给出详细资料]引出端识别标志，
【空白详细规范的国家标准]②
【详细规范的国家编号】
简要说明
主要材料：
【名称、规格、型(牌)号在详纵规范中给出
散热器：
［如有加热器品种,在详细规范中说［按GB7092第2章规定，在本规范第4章结构图中给出门
外壳表面镀涂：
【按外壳表面镀层要求填写镀种］明
封盖（帽)方法：
【在详细规范中说明】
质量评定类别
【按GB 6649第2 5条］
零考数据
4.外壳结构与尺寸
GB 11493-89
4.1「按芯腔大小，结构形式给出系列编孕。74.2【接不问的结构特征，分别绘制结构图，零件图、绘图方法符合GB4457～4458《机械制图》的规定，公差除图表中注明外，如无其他规定，均按GB18044公差与配台未注公差尺寸的极限偏差》IT13精度计算。
4.3尺寸{按相应的封装结构填写尺寸规范值，并可增加其它内容。检验项日的分组由详细规范确定。尺寸符号
(按CB7092)
dt、doe.sh
5外观
底面到外壳慎面的距高
底面到基面的距离下载标准就来标准下载网
子位置的圆径
引线宽度
引线直径
引载厚度
封装长度
封装直径
引线的间距
封製宽度
引线长度
基座的长度和宽度
引线角离
封装突出部分
引出端识别标志位置
底座和盖板、内腺尺于
内引线正焊点长度和粗糙度
外引线头宽度
底密和盖板宽度,厚度和平面度
5.1外壳结构的完整性和装配的准确性。5.2、外壳基体和镀层的颜色、光泽、致密性和均匀性。D
5.3外壳金属引线表面上的划伤、凹坑、乃起、扭曲、纹向和毛刺等。5.4外壳金属（金属化)压焊端面的平面度，粗糙度和缺陷。5.5外壳芯片放置区的平面度、粗糙度、凸出物和异物等。各类外壳尺寸规范慎
5.6外壳金属基座、焊环.盖板(管帽的缺边、缺角、起皱、凹坑、凸起、断裂和划伤。5.7外壳陶瓷材料上气泡、斑点、翅状物、叫陷、凸起、缺损、裂痕和污迹。T
GB 11493 89
外壳封装玻璃材料的气泡、空洞、麻坑、裂纹，凸起，杂质和污迹。[详细规范应按照外壳的特点分别列出具体要求和规定并可增加其他内容。）6电特性
条款号
7订货资料
特性和杀牛
绝缘电阻
试验电压一［规】
引线电限
规范值
值最大值
[若无其他规定,订购外壳时至少需要下列资料。外壳的外形代号：
详细规范的国家编号：
质量评定类别及要求时的筛选顺序；绝缘电阻、高温老炼温度、熔封玻璃温度或其他特殊要求。d.
8试验条件和检验要求
编制详细规范时，应接给定外壳型号和有关标准的适用试验要求，将采用的数值和适当的试验条件在下列表中给山。两者择一的试验或试验方法应选取一种。（当同一详细规范适用于几种外壳时，有关的条件和（或）数应依次连续列出，以避免相同条件和(或）数值的重复）。
抽样要求，根据采用的质量评定类别，参,号或采用GB6649第3.4.2条规定的数值。_A组应在详细规范中选定AQL或LTPD抽样方案.筛选：详细规范应给出亚类外荒的筛选顺序、项目和条件，若无其他规定，本章各表叫1引用的条款指GB6649的有关条款。A组
所有武验均为非破坏性的（见GB6649第3.4.6条）条
检验或试验
A1分组
外规检验
43分组
电特性
引用条款
若无其他规定Tmb=25C
（见GB6649第1章）
接相应的封装结构给定
按相应的均装结构给定
检验要求
规范值
符合要求
达到规范值
GB11493-89
B 组——逐批
标有(D)的试验为试验破坏性的（见GB6649第3.4.6条）条
检验或试验
B1分组
B2c分组
绝缘电纽(D)
B3分组
引线强度(D)
B4 分组
可捍性(D)
B5a分组
密(D)
B5b分组
温度快速变化
然后进行加速潮热
再进行外观、绝缘电阻和
密封检验(D)
B30分组
高温老炼
B31a分组
键合强度
(压焊点)(D)
B31b分组
镶合强度
(芯片)(D)
B31c分组
键合强度
(封接环与盖)(D）
CRRL分组
放行批证明记录
引用条款
若无其他规定Tm-25C
（见GB6649第4章）
接主要外形尺寸列出
7. 1,7. 2按 7. 1 或 7. 2
接 7.12,方法 b(槽焊法）
严格度 D(—55～+125℃)
循环茨数：10
严格度C（4次）
按GB4590&半导体集城电路机械
和气候诚验方法2.11.2方法2
按GB 4590,2.11.4方法 4
按GB4590,2.11.4方达4
检验要求
规范值
符合图纸要求
接详细规范规定
按 7. 1 或 7. 2 规定
浸润良好
按详细规范规定
按详细规范规定
按详细规范规定
按详细规范规定
按详细规范规定
按详细规范规定
就B1、B2c、B3、B1、B5a、B5b、B30、B31a、B31b和B31c各分组提供计教检查结果
GB 11493--89
C组——逐批
标有(D)的试验为破坏性的（见GB6649第3.4.6条）条
检验或试验
C1分组
C3分组
引线强度（D）
C5h 分组
温度快速变化
然后进行加速潮热
再进行外观、绝缘电阻
和密封检验(D)
C6分组
稳态加速度
然后进行
外观和密封检验(D)
C7分组
稳态湿热
然后进行
绝缘电阻和外观检验(D)
C30分组
高温老炼
C31a分组
键合强度(压焊点)(1)
C31b分组
键合强度
(芯片(D)
C31c分组
键合强度
(封接环与盖)(D)
CRRL分组
放行批证明记录
引用条款
7, 1,7, 2
5. 1,7.13
若尤其他规定 Tam=25℃
(见 GB 6649 第 4 章）
I31 分组中未检的所有尺寸
按7.1或7.2
严格度D(—55～+125℃)
循环次数：10
严格度D
（6次）
严格度：1类为 21d
1、「类为56d
按 GB 4590,2. 11. 2
按 GB 4590,2. 11. 4
方法2
方法4
按GB1590,2.11.4方法4
检验要求
规范值
符合图纸要求
接7.1,7.2规定
按详细规范规定
按详细规范规定
在 4d 时不应有锈斑,试验
结束后，按详细规范规定
按详纠规范规定
按详细规拖规定
按详细规范规定
按详细规范规定
就C1,C3,C5h,C6,C7、C30.C31a,C31b和C31c各分组提供计数检食结果
附加资料【不用于检验】
GB 11493—89
【当外壳燃范规定和使用必需时，才提供附加资料。例如：低熔玻璃的电性能和物理性能、熔封皱璃的温度分布曲线、外壳的特殊接地结等。1附加说明，
本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出，本标准由全国集成电路标准化技术委员会封装工作组制订。本标准主要起草人叶曾达、王先春、陈裕辑。
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