【国家标准(GB)】 半导体分立器件型号命名方法

中华人民共和国国家标准
半导体分立器件型号命名方法
The rule of type deslgnatlon fordiscrete seniconductor devices1主题内容与适用范压
本标准规定了半导体分立器件型号的命名方法。本标准适用于各种半导体分立器件。2型号组成原则
半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下：第一部分．第部分
第三部分
第四部分
第五部分
用汉语拼音字
母表示规格号
用阿拉伯数字表示序号
-用汉语拼音字母表示器件的类别用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用阿拉伯数字表示器件的电极数目GB 249—89
代替GB249—74
些半导体分立器件的型号由一～五部分组成，另一些半导体分立器件的号仅由三～方部分组成。
3型号组成部分的符号及其意义
3.1由一～五部分组廠的器件型号符号及其意义中华人民共和国机械电子工业部1989-03-18批准1990-04-01实瓶
第一部分
用阿拉伯数字装示
器件的电极数日
一极管
三极管
第二部分
GB 249—89
第三部分
用汉语拼音字母衰示器件的材料和极性
N型，储材料
P型,储材料
N 型,硅材料
P型,硅材料
FNP型，销材料
NPN型,储材料
PNP 型,硅材料
NPN型,硅材料
化合物材料
第四部分
用阿拉伯
数学表示
用汉语拼音字母表示器件的类别序
小信号管
混颗检波管
电压遍整管和电压基准管
变容管
整流管
整流堆
隧道管
开关管
低懒小功率晶体管
(f,<3MHz,P,<1W)
高频小功率晶体管
(f123MHz
P,低频大功率晶体管
U,SMH,
高频大功率晶体管
(f23MHz,
闸流管
体效应管
阶联恢复管
第五部分
用汉语拼音
字母表示
规格号
示例1:储PNP型高频小功率晶体管3
规格号
【序号
-高频小功率晶体管
PNP型，储材料
兰极管
GB 249--89
3.2由三～五部分组成的器件型号的符号及其意义表2
第三部分
用汉语拼音母表
示器件的类别
场效应晶体管
特殊晶体管
复合管bzxZ.net
PIN管
整流管阵列
硅桥式整流器
双向二极管
电流谢整管
麟态抑制二极管
光电子显示器
发光二极管
红外发射二极管
激光二极管
光敏一极管
光数晶体管
光耦合器
光开关管
摄象线阵器件
摄象面阵器件
征：1）4CS囊示双绝缘妍场效应晶体管。示例2：场效应晶体管
第四部分
用阿拉伯数字表
示序号
第五部分
用汉语拼音字母
裁示规格号
附加说明：
规格号
场效应晶体管
GB24989
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会提出本称准由机械电子工业部电子标准化研究所负资起草。本标准十1964年首次发布，1974年第1次修订.
小提示：此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容，若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。