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【行业标准】 半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
本网站 发布时间:
2024-06-21 19:55:10
- SJ20644.1-2001
- 现行
标准号:
SJ 20644.1-2001
标准名称:
半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
标准状态:
现行出版语种:
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SJ 20644.1-2001 半导体光电子器件GD3550Y型PIN光电二极管详细规范 SJ20644.1-2001

部分标准内容:
中华人民共和国电子行业军用标准FL5961
半导体光电子器件
SJ20644/1--2001
GD3550Y型PIN光电二极管
详细规范
Semiconductoroptoelectronic devicesDetail specification fortype GD3550YPIN photodiode2001-12-27发布
2002-01-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GD3550Y型PIN光电二极管详细规范Semiconductor optoeletronic devicesDetail specification fortypeGD3550YPINphotodiodeSJ20644/1-—2001
1.1主题内容
本规范规定了军用GD3550Y型PIN光电二极管(以下简称“器件”)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
按本规范提供的器件根据SJ20644-97《PIN、APD光电探测器总规范》规定为:密封等级A类:
波长1.0μm~1.65μm
光耦合类型3型一球面透镜。
引用文件
GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件GJB128A--97半导体分立器件试验方法SJ2354--83PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ20644-97PIN、APD光电探测器总规范3定义
3.1详细要求
应符合SJ20644和本规范的规定。3.2合格鉴定
本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品。3.3材料
3.3.1芯片材料
器件芯片材料为钢镓砷/磷化钢。3.3.2引线材料
引线材料为可伐材料。
3.3.3透镜材料
中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布2002-01-01实施
透镜玻璃,光透过率大于90%。
3.4结构
SJ20644/1—2001
器件的结构应符合SJ20644和本规范的规定。3.4.1芯片结构
芯片结构为PIN。
3.4.2光敏面直径
光敏面直径为300μm。
3.4.3封装形式
器件采用全金属化熔封。
3.4.4引线镀涂
引线为镀金,也可按照订货文件规定(见6.2)选择镀层。3.4.5外形尺寸
外形尺寸见图1。
最小值
标称值
最大值
3.4.6引出端识别
引出端识别见图2。
外形尺寸
3.4.7引线长度
电源负极
电源正极
悬空或接地
SJ20644/1--2001
引出端识别
可按订货文件规定(见6.2),提供引线长度不同于图1的器件。3.5光电性能
3.5.1最大额定值
最大额定值见表1。
-45~125
-45~100
主要光电特性
主要光电特性见表2(TA=25C)。特性
响应度
暗电流
总电容
上升时间
下降时间
反向击穿电压
光谱响应范围
环境和机械要求
测试条件Www.bzxZ.net
Yr=5 vg=1 μw=1.30 μm
VR=5 VΦ,=0
f-IMHz
PR=5 V
Rt=500
IR=10μA
VR=5V,4=1mW
极限值
最小值
环境和机械要求应满足SJ20644和本规范表4、表5和表6的要求。3.7标志
标志应符合SJ20644和本规范的规定。器件上应打印下列标志:器件型号和序号。
质量保证规定
抽样和检验
最大值
μA/μw
SJ20644/1—2001
抽样和检验应按SJ20644和本规的规定。4.1.1表4中A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组。A2分组合格样品可以用于A3和A4分组的检验和试验。如果样本母数不满足抽样要求时,则进行百分之百检验。4.1.2鉴定试验总样品量至少应等于B、C组抽样数的2倍。4.1.3如果光电参数不合格的器件已随同检验批通过老炼前各项试验,则表5中B1、B4分组的器件可以采用同一检验批中光电参数不合格器件。4.1.4表5中B3分组的器件可继续按表6中C5分组的规定进行试验,直至总试验时间达到1000h。4.1.5按表6中C1分组进行检验的器件可以用于表6中C2分组的检验和试验。4.2筛选
应按SJ20644和本规范表3的规定。表3筛选
内部目检(封装前)
高温寿命(非工作)
温度循环
恒定加速度
a.细检漏
b.粗检漏
光电参数测试
电老炼(高温反偏)
最后测试
外观及机械检验
4.3监定检验
GJB128A
Tnx=125°Cf-24h
除最低温度-45°℃外其余
按试验条件B
YI方向98000m/s2
不需保持1min
试验条件HI,加压时间2
h,漏率5x10-Pa-cm*/s
试验条件C,压力414
kPa,加压时间4h
VR=5 V=0
VR=5 V =1 μW
试验条件A48h
TA=100°C VR=5V
VR=5V-0
VR-5VΦ-1 μw
入=1.30μm
最小值
极限值
最大值
IVD或5nA
以大者为准
外观无缺陷,镀层无锈蚀
鉴定检验应按SJ20644和本规范表4、表5和表6的规定进行。单位
μA/μw
μA/μW
4.4质量一致性检验
SJ20644/1—2001
质量一致性检验应按A组、B组和C组的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按表4、表5和表6及下列规定进行。4.5.1表5中B4分组的键合强度试验可在封帽前进行。表4A组检验
极限值
外观及机械检
暗电流
响应度
反向击穿电压
3分组
高温试验
暗电流
4分组
总电容
上升时间
下降时间
光谱响应范的
GJB128A
VR=SV=0
o-lμw
JR=10μA
TA=100℃
VR=5V0=0
VR=5Vf-IMHz
IR=5VR-50Q
2=1.30μm
I'R=5VR=50Q
1=1.30μm
Vr-sV,@=lmw
外观无缺陷
镀层无锈蚀
uA/μw
小批量
质检验
1分组
可焊性
耐溶剂
2分组
温度循环
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
3分组
稳态工作寿命
(商温反偏)
最店测试
4分组
键合强度
5分组
高温寿命(非工作)
最后测试
SJ20644/1—2001
表5B组检验
GJB128A
除最低温度-45°℃外,其余按试验条件B
试验条件H1,加压时间2h,
漏率5x10-Pa.cm/s
试验条件C,压力414kPa,加压时间4h
见本规范表7步骤!
VR=5VTa-100°C-340h
见本规范表7步骤2
试验条件A
Tug=125°Ct=340b
见本规范表7步骤2
至少3个样品
小批盘质量
检验nle
LTPD=10
1分组
物理尺寸
2分组
热冲击
引出端强度
细检漏
b粗检漏
外观检验
最后测试
3分组
扫频报动
恒定加速度
最后测试
4分组
不要求
5分组
稳态工作寿命
(高温反偏)
最后测试
暗电流
响应度
暗电流
响应度
SJ20644/1--2001
表6C组检验
GJB128A
试验条件A
试验条件A:F=10'N,t-t0s±1s试验条件HI,加压时间2h,
漏率5x10-Pa.cm*/s
试验条件C,压力414kPa,加压时间4h
见本规范表7步骤1
非工作,方向XY加速度
14700m/s2,脉宽:0.5ms冲击5次非工作,方向X、Y\,
方向Y,加速度98000m/ss
时间1min
见本规范表7步骤1
TA=100℃=1000hVr=5V
见本规范表7步骤2
VR=SV E.-0
^=1.30μmE,=1 μW
1=1.30μm
注:1)不符合3.5.2规定值的器件不准向用户提供。E-lHW
极限值
小批量质盘
检验n/e
uA/μW
μA/μw
4.6检验数据
SJ20644/1—2001
如果订货文件中已作规定(见6.2),那么制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。5交货准备
包装、贮存和运输要求应符合SJ20644的规定。6说明事项
预定用途
符合本规范的器件,主要用于光纤通讯等。6.2
订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容:a.
产品的型号、名称:
详细规范的编号和发布日期;
检验数据(见4.6);
订货数量:
如果引线不是镀金,应规定镀层(见3.4.4):如果引线长度不同于图1,应规定引线长度(见3.4.7);其它。
6.3定义
本规范使用的定义和符号应符合GB/15651及以下的规定光谱响应范围:响应度为峰值波长的1/10时的最短和最长波长范围。附加说明:
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由信息产业部电子第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人:谢春梅、李春芳、郭萍、姚鸿。计划项目代号:B91001。
小提示:此标准内容仅展示完整标准里的部分截取内容,若需要完整标准请到上方自行免费下载完整标准文档。
半导体光电子器件
SJ20644/1--2001
GD3550Y型PIN光电二极管
详细规范
Semiconductoroptoelectronic devicesDetail specification fortype GD3550YPIN photodiode2001-12-27发布
2002-01-01实施
中华人民共和国信息产业部批准1范围
中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件
GD3550Y型PIN光电二极管详细规范Semiconductor optoeletronic devicesDetail specification fortypeGD3550YPINphotodiodeSJ20644/1-—2001
1.1主题内容
本规范规定了军用GD3550Y型PIN光电二极管(以下简称“器件”)的详细要求。1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。1.3分类
按本规范提供的器件根据SJ20644-97《PIN、APD光电探测器总规范》规定为:密封等级A类:
波长1.0μm~1.65μm
光耦合类型3型一球面透镜。
引用文件
GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件GJB128A--97半导体分立器件试验方法SJ2354--83PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ20644-97PIN、APD光电探测器总规范3定义
3.1详细要求
应符合SJ20644和本规范的规定。3.2合格鉴定
本规范提交的器件应是经鉴定合格批准的产品。3.3材料
3.3.1芯片材料
器件芯片材料为钢镓砷/磷化钢。3.3.2引线材料
引线材料为可伐材料。
3.3.3透镜材料
中华人民共和国信息产业部2001-12-27发布2002-01-01实施
透镜玻璃,光透过率大于90%。
3.4结构
SJ20644/1—2001
器件的结构应符合SJ20644和本规范的规定。3.4.1芯片结构
芯片结构为PIN。
3.4.2光敏面直径
光敏面直径为300μm。
3.4.3封装形式
器件采用全金属化熔封。
3.4.4引线镀涂
引线为镀金,也可按照订货文件规定(见6.2)选择镀层。3.4.5外形尺寸
外形尺寸见图1。
最小值
标称值
最大值
3.4.6引出端识别
引出端识别见图2。
外形尺寸
3.4.7引线长度
电源负极
电源正极
悬空或接地
SJ20644/1--2001
引出端识别
可按订货文件规定(见6.2),提供引线长度不同于图1的器件。3.5光电性能
3.5.1最大额定值
最大额定值见表1。
-45~125
-45~100
主要光电特性
主要光电特性见表2(TA=25C)。特性
响应度
暗电流
总电容
上升时间
下降时间
反向击穿电压
光谱响应范围
环境和机械要求
测试条件Www.bzxZ.net
Yr=5 vg=1 μw=1.30 μm
VR=5 VΦ,=0
f-IMHz
PR=5 V
Rt=500
IR=10μA
VR=5V,4=1mW
极限值
最小值
环境和机械要求应满足SJ20644和本规范表4、表5和表6的要求。3.7标志
标志应符合SJ20644和本规范的规定。器件上应打印下列标志:器件型号和序号。
质量保证规定
抽样和检验
最大值
μA/μw
SJ20644/1—2001
抽样和检验应按SJ20644和本规的规定。4.1.1表4中A1分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组。A2分组合格样品可以用于A3和A4分组的检验和试验。如果样本母数不满足抽样要求时,则进行百分之百检验。4.1.2鉴定试验总样品量至少应等于B、C组抽样数的2倍。4.1.3如果光电参数不合格的器件已随同检验批通过老炼前各项试验,则表5中B1、B4分组的器件可以采用同一检验批中光电参数不合格器件。4.1.4表5中B3分组的器件可继续按表6中C5分组的规定进行试验,直至总试验时间达到1000h。4.1.5按表6中C1分组进行检验的器件可以用于表6中C2分组的检验和试验。4.2筛选
应按SJ20644和本规范表3的规定。表3筛选
内部目检(封装前)
高温寿命(非工作)
温度循环
恒定加速度
a.细检漏
b.粗检漏
光电参数测试
电老炼(高温反偏)
最后测试
外观及机械检验
4.3监定检验
GJB128A
Tnx=125°Cf-24h
除最低温度-45°℃外其余
按试验条件B
YI方向98000m/s2
不需保持1min
试验条件HI,加压时间2
h,漏率5x10-Pa-cm*/s
试验条件C,压力414
kPa,加压时间4h
VR=5 V=0
VR=5 V =1 μW
试验条件A48h
TA=100°C VR=5V
VR=5V-0
VR-5VΦ-1 μw
入=1.30μm
最小值
极限值
最大值
IVD或5nA
以大者为准
外观无缺陷,镀层无锈蚀
鉴定检验应按SJ20644和本规范表4、表5和表6的规定进行。单位
μA/μw
μA/μW
4.4质量一致性检验
SJ20644/1—2001
质量一致性检验应按A组、B组和C组的规定进行。4.5检验和试验方法
检验和试验方法应按表4、表5和表6及下列规定进行。4.5.1表5中B4分组的键合强度试验可在封帽前进行。表4A组检验
极限值
外观及机械检
暗电流
响应度
反向击穿电压
3分组
高温试验
暗电流
4分组
总电容
上升时间
下降时间
光谱响应范的
GJB128A
VR=SV=0
o-lμw
JR=10μA
TA=100℃
VR=5V0=0
VR=5Vf-IMHz
IR=5VR-50Q
2=1.30μm
I'R=5VR=50Q
1=1.30μm
Vr-sV,@=lmw
外观无缺陷
镀层无锈蚀
uA/μw
小批量
质检验
1分组
可焊性
耐溶剂
2分组
温度循环
a.细检漏
b.粗检漏
最后测试
3分组
稳态工作寿命
(商温反偏)
最店测试
4分组
键合强度
5分组
高温寿命(非工作)
最后测试
SJ20644/1—2001
表5B组检验
GJB128A
除最低温度-45°℃外,其余按试验条件B
试验条件H1,加压时间2h,
漏率5x10-Pa.cm/s
试验条件C,压力414kPa,加压时间4h
见本规范表7步骤!
VR=5VTa-100°C-340h
见本规范表7步骤2
试验条件A
Tug=125°Ct=340b
见本规范表7步骤2
至少3个样品
小批盘质量
检验nle
LTPD=10
1分组
物理尺寸
2分组
热冲击
引出端强度
细检漏
b粗检漏
外观检验
最后测试
3分组
扫频报动
恒定加速度
最后测试
4分组
不要求
5分组
稳态工作寿命
(高温反偏)
最后测试
暗电流
响应度
暗电流
响应度
SJ20644/1--2001
表6C组检验
GJB128A
试验条件A
试验条件A:F=10'N,t-t0s±1s试验条件HI,加压时间2h,
漏率5x10-Pa.cm*/s
试验条件C,压力414kPa,加压时间4h
见本规范表7步骤1
非工作,方向XY加速度
14700m/s2,脉宽:0.5ms冲击5次非工作,方向X、Y\,
方向Y,加速度98000m/ss
时间1min
见本规范表7步骤1
TA=100℃=1000hVr=5V
见本规范表7步骤2
VR=SV E.-0
^=1.30μmE,=1 μW
1=1.30μm
注:1)不符合3.5.2规定值的器件不准向用户提供。E-lHW
极限值
小批量质盘
检验n/e
uA/μW
μA/μw
4.6检验数据
SJ20644/1—2001
如果订货文件中已作规定(见6.2),那么制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供。5交货准备
包装、贮存和运输要求应符合SJ20644的规定。6说明事项
预定用途
符合本规范的器件,主要用于光纤通讯等。6.2
订货文件内容
合同或订单中应载明下列内容:a.
产品的型号、名称:
详细规范的编号和发布日期;
检验数据(见4.6);
订货数量:
如果引线不是镀金,应规定镀层(见3.4.4):如果引线长度不同于图1,应规定引线长度(见3.4.7);其它。
6.3定义
本规范使用的定义和符号应符合GB/15651及以下的规定光谱响应范围:响应度为峰值波长的1/10时的最短和最长波长范围。附加说明:
本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由信息产业部电子第四十四研究所负责起草。本规范主要起草人:谢春梅、李春芳、郭萍、姚鸿。计划项目代号:B91001。
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