【国家标准(GB)】 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定

本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性试验》。本部分与ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下变动：———范围去除“非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用”内容；———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定；———将原标准厚膜隧道烧结炉，温度范围为室温～１０００℃。改为：厚膜隧道烧结炉，最高使用温度为１０００℃，控制精度在±５℃；———将原标准控制焊料熔融温度为２３５℃±５℃改为：根据不同的焊料确定温度；———将原标准“浸入和取出速度为(２５±５)ｍｍ／ｓ”删除；———将原标准“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ”改为“导体浸入焊料界面深度为２ｍｍ 以下”；———将原标准“浸入时间为５ｓ±１ｓ。浸入时间为１０ｓ±１ｓ”改为“浸入时间根据不同浆料”确定；———将原标准８．１．１中“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于９５％，则为可焊性好，小于９５％为可焊性差”修改为“在放大镜下观察，若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于图案面积的９／１０，则为可焊性好，小于９／１０为可焊性差”；———将原标准８．１．２中“基片印刷图案若有５％未焊的面积集中在某一角，则可焊性差”修改为“基片印刷图案若有１／５未焊面积，则可焊性差”。 GB/T 17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定 GB/T17473.7-2008 标准下载解压密码：www.bzxz.net