本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。

本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。 本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。 本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。

本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。 本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。

本文件规定了人工智能领域面向机器学习的数据标注框架流程。 本文件适用于指导人工智能领域面向机器学习的数据标注以及与之相关的研究、开发和应用等。

本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。 本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。 注：本文件不适用于IEC 60679-1规定的石英晶体振荡器。

本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构，并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm～100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm～150 μm、深宽比为0.006 7～20。棱锥式针结构具有三个或四个面，其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大，并且外轮廓尺寸可包含于边